[发明专利]相变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种相变存储器，其特征在于，所述相变存储器至少包括：

下电极，所述下电极呈阵列式排布；

位于所述下电极上的下加热电极；

位于多个下加热电极上的相变材料层，所述相变材料层呈条状等间距排布；

位于所述下加热电极上方位置的相变材料层上的上电极，所述上电极呈条状等间距排布，且与所述相变材料层相互垂直。

2.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述相变存储器还包括：位于所述相变材料层下部两端的大电极，所述上电极还位于所述大电极上方位置的相变材料层上。

3.根据权利要求2所述的相变存储器，其特征在于，所述相变存储器还包括：位于所述下电极、所述下加热电极、所述相变材料层和所述大电极的外侧壁与内侧壁的绝热材料层。

4.根据权利要求2所述的相变存储器，其特征在于，所述上电极与控制信号连接，所述大电极通过所述相变材料层与所述上电极电连接，所述上电极通过所述相变材料层与所述下加热电极及所述下电极电连接。

5.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述相变存储器还包括：位于所述下电极下部的二极管或晶体管。

6.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述下加热电极为与所述下电极形状、大小相同的电极或者T型小电极。

7.一种相变存储器的制备方法，其特征在于，所述相变存储器的制备方法至少包括如下步骤：

提供衬底，在所述衬底上形成第一绝热材料层，图形化所述第一绝热材料层，在所述第一绝热材料层上形成通至所述衬底的呈阵列式排布的第一通孔；在所述第一通孔内淀积电极材料形成下电极，去除多余的电极材料；

形成第二绝热材料层，覆盖所述第一绝热材料层和所述下电极，图形化所述第二绝热材料层，在所述第二绝热材料层上形成通至各下电极的呈阵列式排布的第二通孔；在所述第二通孔内淀积电极材料形成下加热电极，去除多余的电极材料；

继续图形化所述第一绝热材料层和所述第二绝热材料层，在所述第一绝热材料层和所述第二绝热材料层的两端形成通至所述衬底的与所述下电极位置相应的第三通孔；在所述第三通孔内淀积电极材料形成大电极，去除多余的电极材料；

形成第三绝热材料层，覆盖所述第二绝热材料层、所述大电极和所述下加热电极，图形化所述第三绝热材料层，形成通至所述下加热电极和所述大电极的呈条状等间距排布的沟道；在所述沟道内淀积电极材料形成相变材料层，去除多余的电极材料；

形成电极材料层，覆盖所述第三绝热材料层和所述相变材料层，图形化所述电极材料层，在所述下加热电极和所述大电极上方位置的相变材料层上，形成呈条状等间距排布、且与所述相变材料层相互垂直的上电极。

8.根据权利要求7所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，所述第一绝热材料层、第二绝热材料层和第三绝热材料层采用相同的绝热材料。

9.根据权利要求7所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，在所述第一通孔、第二通孔和第三通孔内淀积电极材料均采用CVD方法。

10.根据权利要求7所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，在所述沟道内淀积电极材料采用PVD磁控溅射方法。