[发明专利]射频返回路径的阻抗的控制有效
申请号: | 201410494730.1 | 申请日: | 2014-09-24 |
公开(公告)号: | CN104517794B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 阿列克谢·马拉霍塔诺夫;拉金德尔·迪恩赛;肯·卢彻斯;卢克·奥巴伦德 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01J37/02 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 返回 路径 阻抗 控制 | ||
1.一种用于控制射频(RF)返回路径的阻抗的系统,其包括:
匹配盒,其包括匹配电路;
射频发生器,其联接到所述匹配盒以经由射频供应路径的第一部分供应射频供应信号到所述匹配盒,所述射频发生器联接到所述匹配盒以经由所述射频返回路径的第一部分接收射频返回信号;
开关电路;
等离子体反应器,其具有第一电极,其中所述第一电极经由所述射频返回路径的第二部分联接到所述开关电路,其中所述等离子体反应器包括第二电极,其中所述第二电极经由所述射频供应路径的第二部分联接到所述匹配电路,其中所述射频返回路径的所述第二部分由联接到所述开关电路的射频通道限定,并且所述射频返回路径的所述第二部分和所述射频供应路径的所述第二部分由射频传输线限定;以及
控制器,其联接到所述开关电路,所述控制器被配置成基于调节配方控制所述开关电路以改变所述射频返回路径的所述阻抗。
2.根据权利要求1所述的系统,其中所述开关电路位于所述匹配盒的壳体内。
3.根据权利要求1所述的系统,其中所述开关电路位于所述匹配盒的壳体外。
4.根据权利要求1所述的系统,其中所述开关电路被配置成改变所述射频返回路径的所述阻抗以获得蚀刻速率或沉积速率。
5.根据权利要求1所述的系统,其中所述射频发生器被配置成供应所述射频供应信号以在所述等离子体反应器内产生等离子体。
6.根据权利要求1所述的系统,其中所述射频供应路径的所述第一部分包括射频电缆,其中所述射频供应路径的所述第二部分包括射频棒,其中所述射频返回路径的所述第一部分包括射频电缆护套,其中所述射频通道是接地的。
7.根据权利要求1所述的系统,其中所述匹配盒包括壳体,其中所述壳体接地。
8.根据权利要求1所述的系统,其中所述匹配电路被配置成使所述射频发生器、所述射频供应路径的所述第一部分和所述射频返回路径的所述第一部分的阻抗与所述等离子体反应器、所述射频供应路径的所述第二部分和所述射频返回路径的所述第二部分的阻抗匹配。
9.根据权利要求1所述的系统,其中所述开关电路包括多个开关和多个电感器,所述多个电感器中的每个与所述多个开关中的相应的一个串联。
10.根据权利要求1所述的系统,其中所述开关电路包括多个开关和多个电容器,所述多个电容器中的每个与所述多个开关中的相应的一个串联。
11.根据权利要求1所述的系统,其中所述开关电路包括多个开关、多个电感器和多个电容器,所述多个开关中的每个与所述多个电感器中的相应的一个以及所述多个电容器中的相应的一个串联。
12.根据权利要求1所述的系统,其中所述第二电极位于卡盘内并且所述第一电极是上电极,所述上电极面对所述卡盘。
13.根据权利要求1所述的系统,其中所述开关电路被配置成通过控制所述射频返回路径的电感、电容或它们的组合来控制阻抗。
14.根据权利要求1所述的系统,其中所述控制器被配置成基于在所述射频返回路径的一部分处测得的参数值来控制所述开关电路。
15.一种用于控制射频(RF)返回信号的阻抗的系统,其包括:
射频传输线,其包括射频棒和接地射频通道;
等离子体反应器,其包括第一电极和第二电极;
阻抗匹配电路,其经由所述射频传输线联接到所述等离子体反应器,所述射频传输线用于经由所述射频棒供应射频供应信号到所述等离子体反应器的所述第一电极并且用于经由所述接地射频通道接收来自所述等离子体反应器的所述第二电极的所述射频返回信号;以及
开关电路,其联接在所述阻抗匹配电路与所述等离子体反应器之间,其中所述开关电路联接到所述射频传输线的所述接地射频通道,用于控制所述射频返回信号的所述阻抗。
16.根据权利要求15所述的系统,其中所述等离子体反应器包括C形覆盖物、底电极壳体、接地环部分、返回射频带和接地罩,所述开关电路经由所述C形覆盖物、所述返回射频带、所述接地环部分、所述底电极壳体的一部分、所述接地罩的一部分和所述接地的射频通道接收所述射频返回信号。
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