[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及基板处理方法以及基板处理装置。成为处理对象的基板包括例如半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、FED(Field Emission Display：场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。

背景技术

在半导体装置和液晶表示装置的制造工序中，例如对基板一张一张进行处理的单张式的基板处理装置具有：旋转卡盘，将基板保持为大致水平，并使该基板旋转；喷嘴，用于向通过该旋转卡盘旋转的基板的表面的中央部喷出处理液。

在利用了这种基板处理装置的基板处理中，例如依次进行向旋转状态的基板的表面供给药液的药液处理、以及向旋转状态的基板的表面供给冲洗液的冲洗处理。然后，向基板的表面供给异丙醇(isopropyl alcohol：IPA)液。在基板的旋转速度为零或低速的状态下供给IPA液，由于对IPA液仅作用零或小的离心力，所以维持IPA液滞留在基板的表面上而形成液膜的状态(以下将这样的液体的状态称为“浸液状”。)。在基板的表面的冲洗液被IPA液置换后，使基板的旋转加速，由此IPA液的液膜从基板的表面被甩掉，基板得以干燥。

在这样的一系列的处理中，在日本特开2009-295910号公报以及日本特开2009-212408号公报中，提出如下方法，即，在执行冲洗处理之后且在保持IPA液的液膜之前，在基板的表面呈浸液状保持冲洗液的液膜(浸液冲洗)。在这些各公报中，在一边使基板以规定的液体处理旋转速度旋转一边执行冲洗处理后，一边从喷嘴持续喷出冲洗液一边使基板的旋转速度从液体处理旋转速度下降至低速。此时，对供给到基板上的冲洗液仅作用小的离心力，因此，冲洗液滞留在基板的表面上而在基板的整个表面呈浸液状保持冲洗液的液膜。

接着，通过IPA液置换该冲洗液的液膜所包含的冲洗液，来在基板的整个表面呈浸液状保持IPA液的液膜。从冲洗液的液膜形成IPA液的液膜，结果，不仅容易进行IPA液的液膜形成，而且还能够节省IPA液。

但是，在前述的各公报记载的方法中，因基板的表面状态的不同，有时冲洗液的液膜未形成在基板的整个表面上，基板的表面的至少一部分露出。

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供一种不管基板的表面状态如何都能够利用冲洗液的液膜呈浸液状覆盖基板的整个表面的基板处理方法以及基板处理装置。

本发明提供一种基板处理方法，

该基板处理方法包括：

药液工序，向旋转的基板的表面供给药液，对所述基板的表面进行药液处理，

冲洗工序，紧接着所述药液工序进行，通过向旋转的所述基板的表面供给冲洗液，来利用所述冲洗液冲洗掉在所述基板的表面上附着的药液，并形成冲洗液的液膜；

所述冲洗工序包括高速冲洗工序和在该高速冲洗之后进行的减速冲洗工序，

所述减速冲洗工序包括积液工序，在该积液工序中，在比所述高速冲洗工序时的旋转速度低的旋转速度的范围内使所述基板的旋转速度减小，并以比所述高速冲洗工序时的最大供给流量大的流量向所述基板的表面供给冲洗液，以在所述基板的表面上形成浸液状的冲洗液的液膜。

根据该方法，在高速冲洗工序后执行的减速冲洗工序中，比高速冲洗工序实施期间的最大供给流量大的流量的冲洗液被向基板的表面供给。该大流量的冲洗液从基板中央部被挤向基板周缘部，并遍及到基板周缘部。由此，不管基板的表面状态如何，都能够在基板的表面确实地形成覆盖基板的整个表面的浸液状的冲洗液的液膜。

优选所述积液工序中的冲洗液的供给流量被设定为4.0(升/分钟)以上。在该情况下，能够更确实地形成浸液状的冲洗液的液膜。

另外，优选在所述积液工序中，以11.0(rpm/秒)以下的减速梯度使所述基板的旋转速度减小。如果积液工序中的基板的旋转的减速梯度在11.0(rpm/秒)以下，则在积液工序中，作用于冲洗液的液膜上的离心力缓缓减小，结果，能够维持在作用于基板周缘部的冲洗液的朝向基板中央部的力被抑制的状态。由此，能够将减速冲洗工序中的冲洗液的液膜更确实地维持在覆盖基板的整个表面的状态。

所述减速冲洗工序还可以包括急减速工序，该急减速工序紧接着所述高速冲洗工序来执行，使所述基板的旋转速度以比所述积液工序时的减速梯度陡峭的梯度减小。

根据该方法，由于在使基板的旋转速度减小的减速冲洗工序中包括使基板的旋转速度以陡峭的梯度减速的工序，所以能缩短使基板的旋转速度减速至形成浸液状的液膜的速度所需的时间。