[发明专利]半导体器件引线框架

权利要求书

1.一种RF半导体器件的器件封装方法，包括以下步骤：

提供引线框，所述引线框包括基座(12)和连接引线(10)，所述基座(12)带有配置为安装一个或多个半导体管芯的顶部表面；

在成型工艺之前或之后在所述基座(12)的所述顶部表面上安装至少一个半导体管芯(14)；

将第一薄膜(34)和第二薄膜(36)放置在所述连接引线(10)、基座(12)和一个或多个半导体管芯(14)上以形成组合，其中，所述第一薄膜(34)配置为模的顶部(30)，所述第二薄膜(36)配置为所述模的底部(32)；

围绕所述基座(12)、连接引线(10)、一个或多个半导体管芯(14)和第一薄膜(34)和第二薄膜(36)的所述组合闭合所述模的所述顶部(30)和所述底部(32)，使得所述模的顶部(30)配置为所述第一薄膜(34)，并且所述模的底部(32)配置为所述第二薄膜(32)；

此后，向所述第一薄膜(34)和第二薄膜(36)施加压力和热量，从而所述第一薄膜(34)和第二薄膜(36)在所述基座(12)、连接引线(10)和一个或多个半导体管芯(14)周围封合，以致在所述至少一个半导体管芯(14)周围形成第一空腔(38)，在所述连接引线(10)的顶部和底部的在所述连接引线(10)与所述基座(12)重合、并且位于所述连接引线(10)和所述基座(12)之间的位置形成第二组空腔(37)；

将模制合成物注入所述第二组空腔(37)，从而将所述连接引线(10)与所述基座(12)电隔离，并且固化所述模制合成物，以获得由薄膜辅助成型制造的产品；

打开所述模，卸出所述产品；

将所述半导体管芯(14)打线焊至所述连接引线(10)；

其中，所述连接引线(10)包括用于电性连接至所述半导体管芯(14)的连接部分(11)，所述连接部分(11)的边缘包括收容部分(60)，所述收容部分配置为在所述RF半导体器件成型中与所述第一薄膜(34)封合。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述收容部分为阶梯部分或凹槽部分。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述收容部分(60)的局部变形发生在所述半导体器件的制造过程中。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述连接引线(10)包括相对于所述基座的所述顶部表面水平设置的、用于外部连接的部分，其中，用于连接至所述半导体管芯(14)的所述连接部分(11)是具有角度的尖端部分(11)，并且所述具有角度的尖端部分(11)配置为在所述成型步骤中封合所述第一薄膜。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述具有角度的尖端部分(11)配置为弹性地偏向所述第二薄膜(36)。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述具有角度的尖端部分(11)相对于所述基座(12)的所述顶部表面具有3到5度的正角度。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述具有角度的尖端部分(11)配置为使得在后续成型中，相对于所述基座(12)的零度水平在±1度的范围内。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述连接引线(10)的厚度选择为使得所述具有角度的尖端部分在成型工艺中可通过压力变形。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述RF半导体器件为放大器器件。

10.一种具有空腔模制封装的封装RF器件，其包括引线框架和一个或多个半导体管芯，并且其根据权利要求1-9中任意一项所述的方法制得，其中，所述引线框架包括基座(12)和连接引线(10)，所述基座(12)带有配置为安装一个或多个半导体管芯(14)的顶部表面，其中，所述连接引线(10)包括用于电性连接至所述半导体管芯(14)的连接部分(11)，所述连接部分(11)的边缘包括收容部分(60)。