[发明专利]铜及钼含有膜的蚀刻液组合物

说明书

本发明涉及一种蚀刻铜及钼含有膜时，控制钼或钼合金膜的侧蚀，实现稳定的蚀刻工程，并可改善蚀刻锥角、蚀刻偏差和蚀刻直线度等蚀刻特性的蚀刻液组合物。所述蚀刻液组合物中，相对于总重量，过氧化氢的含量为10至30重量％，蚀刻抑制剂的含量为0.1至5重量％，螯合剂的含量为0.1至5重量％，蚀刻添加剂的含量为0.1至5重量％，氟化物的含量为0.01至2重量％，侧蚀抑制剂的含量为0.01至2重量％，及使总重量达到100重量％的水。

技术领域

本发明涉及一种铜钼膜或铜钼含有膜(以下简称为“铜/钼含有膜”)的蚀刻液组合物，尤其是用于TFT-LCD显示器电极的铜及钼含有膜的蚀刻液组合物。

背景技术

半导体装置、TFT-LCD、OLED等微电路是通过在基板上形成的铝、铝合金、铜及铜合金等导电性金属膜或二氧化硅膜、氮化硅薄膜等绝缘膜上，均匀地涂抹光刻胶，然后通过刻有图案的薄膜，进行光照射后成像，使所需的图案光刻胶成像，采用干式蚀刻或湿式蚀刻，在光刻胶下部的金属膜或绝缘膜上显示图案后，剥离去除不需要的光刻胶等一系列的光刻工程而完成的。

大型显示器的栅极及数据金属配线所使用的铜合金，与以往技术中的铝铬配线相比，阻抗低且没有环境问题。铜存在与玻璃基板及绝缘膜的贴附性较低，易扩散为氧化硅膜等问题，所以通常使用钛、钼等作为下部薄膜金属。

薄膜金属为钼或钼合金时，其蚀刻速度与铜的蚀刻速度相比更快，在蚀刻工程中在铜、钼或钼合金膜的分界上，会发生钼或钼合金被过度蚀刻导致侧蚀的现象。尤其是钼含量较高的合金，蚀刻速度非常快，侧蚀现象严重。添加侧蚀抑制剂时可以控制这种现象的发生。

同时蚀刻铜膜及钼含有膜时，作为可使用的蚀刻液组合物的相关技术，在韩国专利公开公报第2006-0064881号、专利公开公报第2006-0099089号等中公开了以过氧化氢为基础的铜/钼含有膜的蚀刻液。但是，这些蚀刻液在反复进行蚀刻时，该蚀刻液内的金属含量增加，会失去蚀刻锥角、蚀刻偏差及蚀刻直线度等石刻特性，若要降低蚀刻液中的金属含量，则需要很大量的蚀刻液，这是现有技术的问题。

进一步，显示器的高画质及大型化促使用于配线的铜金属的厚度有所增加，追求高画质就要求像素变小，配线幅度增加，要求大型化就需要减小配线的电阻。对此，不得不增加用于配线的铜金属的厚度。

铜金属的厚度变厚，蚀刻工程的时间就会变长，会降低生产效率，若要提高蚀刻速度，会导致配线段不良，也会发生问题。

先行技术文献

专利文献

(专利文献1)专利公开第2006-0064881号(2006年6月14日公开)

(专利文献2)专利公开第2006-0099089号(2006年9月19日公开)

发明内容

本发明的目的在于提供一种蚀刻铜及钼含有膜时，控制钼或钼合金膜的侧蚀，实现稳定的蚀刻工程，并可改善蚀刻锥角、蚀刻偏差和蚀刻直线度等蚀刻特性的蚀刻液组合物。

依据本发明实施方式的铜及钼含有膜的蚀刻液组合物，相对于组合物的总重量，含有10至30重量％的过氧化氢；含有0.1至5重量％的蚀刻抑制剂，其选自分子内含有氧、硫及氮中至少一个以上的杂原子的单环式杂环化合物，具有所述单环式杂环和苯环缩合结构的复素环化合物及其混合物所构成的群；含有0.1至5重量％的螯合剂；含有0.1至5重量％的蚀刻添加剂，其为一种以上选自由无机酸、有机酸及其盐构成群的化合物；含有0.01至2重量％的氟化物；含有0.01至2重量％的侧蚀抑制剂，其包括在嘧啶和咪唑的缩合结构内，由氨基、羟基、羰基及甲基构成的群中含有1个以上作用基的化合物；以及使组合物总重量达到100重量％的水。