[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第一导电型的第一半导体区域；

第二导电型的第二半导体区域，其配置在所述第一半导体区域之上；

第一导电型的第三半导体区域，其配置在所述第二半导体区域之上；

多个第二导电型的第四半导体区域，其配置在所述第三半导体区域之上；

绝缘膜，其配置在从所述第四半导体区域的上表面延伸并贯通所述第四半导体区域和所述第三半导体区域而到达所述第二半导体区域的槽的内壁上；

控制电极，其在所述槽的侧面配置在所述绝缘膜的与所述第三半导体区域的侧面对置的区域上；

第一主电极，其与所述第一半导体区域电连接；

第二主电极，其与所述第四半导体区域电连接；以及

底面电极，其在所述槽的底面与所述控制电极间隔开地配置在所述绝缘膜之上，并与所述第二主电极电连接，

在俯视观察时，所述槽的延伸方向的长度在所述槽的宽度以上，而且，所述槽的宽度比相邻的所述槽之间的间隔宽，

多个所述槽以交叉方式形成为格子状，柱是形成为被所述槽包围的岛状的区域，该柱在俯视观察时呈二维排列，形成于相邻的两个所述柱的侧面的所述控制电极通过底面栅配线而连结，所述底面栅配线形成在相邻的两个所述柱之间的所述槽的底面的所述绝缘膜上，在相邻的两个所述底面栅配线之间的所述槽的底面的所述绝缘膜上，所述底面电极与所述控制电极断开且与所述第二主电极电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述底面电极的与所述槽的底面对置的宽度比所述控制电极的与所述槽的底面对置的宽度宽。

3.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第一导电型的第一半导体区域；

第二导电型的第二半导体区域，其配置在所述第一半导体区域之上；

第一导电型的第三半导体区域，其配置在所述第二半导体区域之上；

多个第二导电型的第四半导体区域，其配置在所述第三半导体区域之上；

绝缘膜，其分别配置在从所述第四半导体区域的上表面延伸并贯通所述第四半导体区域和所述第三半导体区域而到达所述第二半导体区域的槽的内壁上；

控制电极，其在所述槽的侧面配置在所述绝缘膜的与所述第三半导体区域的侧面对置的区域上；

底面电极，其在所述槽的底面与所述控制电极间隔开地配置在所述绝缘膜之上；

第一主电极，其与所述第一半导体区域电连接；

层间绝缘膜，其配置在所述控制电极和所述底面电极之上；以及

第二主电极，其隔着所述层间绝缘膜在所述控制电极和所述底面电极的上方配置在所述第三半导体区域上和所述第四半导体区域上，且与所述第四半导体区域和所述底面电极电连接，

俯视观察时，所述槽的面积比相邻的所述槽之间的半导体区域的面积大，

多个所述槽以交叉方式形成为格子状，柱是形成为被所述槽包围的岛状的区域，该柱在俯视观察时呈二维排列，形成于相邻的两个所述柱的侧面的所述控制电极通过底面栅配线而连结，所述底面栅配线形成在相邻的两个所述柱之间的所述槽的底面的所述绝缘膜上，在相邻的两个所述底面栅配线之间的所述槽的底面的所述绝缘膜上，所述底面电极与所述控制电极断开且与所述第二主电极电连接。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述底面电极的与所述槽的底面对置的面积比所述控制电极的与所述槽的底面对置的面积大。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述底面电极的与所述槽的底面对置的宽度比所述底面电极的膜厚方向的厚度大。

6.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述控制电极的底面的位置比所述底面电极的上表面的位置靠下方。

7.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述底面电极的与所述槽的底面对置的宽度比所述底面电极与所述控制电极之间的沿所述槽的底面的间隔大。