[发明专利]LED芯片的封装方法及使用该封装方法的LED封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及LED封装技术领域，特别涉及一种LED芯片的封装方法及使用该封装方法的LED封装结构。

背景技术

目前LED的封装方法比较多，一种业界常见的封装方法是：先通过焊接芯片、然后涂覆荧光粉两步来完成的。例如2012年07月11号公布的申请号为201110350640.1的发明专利申请，即揭示了一种晶圆级LED透镜封装结构及方法，该晶圆级LED透镜封装方法包括如下步骤：A、在晶圆上制作绝缘层，再在绝缘层上淀积金属导电层阵列；B、在晶圆上制作堤坝阵列；C、在导电层上和LED芯片上形成凸点焊球；D、将LED芯片通过倒装焊工艺焊接在晶圆上对应的金属导电层上，完成电气连接形成LED芯片阵列；E、将荧光粉同透明封装体按比例混合均匀，涂覆到每个LED芯片或其阵列上并被堤坝包围，实现灌封；F、将预先根据使用需求设计制造出的透镜阵列对齐扣压在堤坝阵列上，在透镜上施加压力，挤压下面未固化的混合液，赶出其中的气泡，然后通过紫外线照射或高温烘烤固化，固定透镜阵列，完成LED晶圆级阵列封装。这种工艺流程存在需要大量的设备投入、工艺复杂、生产效率低等缺点。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种工艺简单的LED芯片的封装方法及使用该封装方法的LED封装结构。

一种LED芯片的封装方法，包括如下步骤：制作LED芯片的外延片，在该外延片的顶部切割形成沟槽；制作用于封装LED芯片的薄膜，该薄膜由聚对苯二甲酸乙二醇、四氯乙烷及荧光粉制成；该外延片的顶部设置薄膜；沿着所述沟槽切割该薄膜及该外延片以形成多个LED芯片，使得每个切割后的LED芯片的顶部具有倒角；对该切割后的LED芯片进行加热，使得该薄膜熔化并包覆所述LED芯片，该薄膜冷却后固化形成封装层。

一种LED封装结构，该LED封装结构包括LED芯片及封装层，该封装层通过一种LED芯片的封装方法封装在该LED芯片上，该LED芯片的封装方法包括如下步骤：制作LED芯片的外延片，在该外延片的顶部切割形成沟槽；该外延片的顶部设置薄膜；沿着所述沟槽切割该薄膜及该外延片以形成多个LED芯片，使得每个切割后的LED芯片的顶部具有倒角；对该切割后的LED芯片进行加热，使得该薄膜熔化并包覆所述LED芯片，该薄膜冷却后固化形成封装层。

一种LED芯片的封装方法，包括如下步骤：制作LED芯片的外延片，在该外延片的顶部切割形成沟槽；在该外延片上涂布荧光粉层；制作薄膜，将该薄膜固定在该荧光粉层的顶部；沿着所述沟槽切割该薄膜及该外延片以形成多个LED芯片；对该切割后的LED芯片进行加热，使得该薄膜熔化并包覆所述LED芯片，该薄膜冷却后固化形成封装层。

与现有技术相比，该LED芯片的封装方法采用在外延片上涂覆该薄膜，仅需在固定该LED芯片的同时使得该薄膜加热熔化并整体包覆该LED芯片，该薄膜熔化后冷却固化即可形成该封装层，由于封装时无需先焊接再涂覆封装层两步来完成，使得该LED芯片的封装方法及使用该封装方法的LED封装结构具有工艺简单的优点；此外，由于该LED芯片的顶部具有倒角，使得该薄膜熔化后可克服表面张力而均匀分布于该LED芯片上，使得使用该封装方法的LED封装结构还具有发光均匀的优点。

附图说明

图1A是本发明LED芯片的封装方法第一实施例外延片的结构示意图；

图1B是图1A所示外延片的俯视图；

图1C是图1A所示外延片上固定薄膜的结构示意图；

图1D是图1C所示切割后的LED芯片的结构示意图；

图1E是图1D所示薄膜熔化后的结构示意图；

图2A是本发明LED芯片的封装方法第二实施例外延片的结构示意图；

图2B是图2A所示外延片上涂覆荧光粉的结构示意图；

图2C是图2B所示外延片上固定薄膜的结构示意图；

图2D是图2C所示薄膜熔化后的结构示意图；

附图标记说明：

10、10b 外延片11沟槽

20、20b 薄膜21、21b封装层

30、50LED芯片 13电极

40 荧光粉层60基板

具体实施方式

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

请参考图1A至图1E，图1A至1E是本发明LED芯片的封装方法第一实施例的各步骤示意图，本发明第一实施例的LED芯片的封装方法包括如下步骤：

首先，请参考图1A、图1B，制作LED芯片的外延片10，在该外延片10的顶部切割形成沟槽11；