[发明专利]一种新型四面无引脚封装工艺方法在审

专利信息
申请号: 201410454054.5 申请日: 2014-09-05
公开(公告)号: CN104269359A 公开(公告)日: 2015-01-07
发明(设计)人: 于睿;张航宇;龚臻;刘怡 申请(专利权)人: 江苏长电科技股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 代理人: 唐纫兰
地址: 214434 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 四面 引脚 封装 工艺 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种新型四面无引脚封装工艺方法,尤其是一种多圈四面无引脚封装工艺方法,属于集成电路或分立元件封装技术领域。

背景技术

传统的QFN(四面无引脚)封装,其封装形式主要通过单元阵列式的框架封装后经过切割成为独立的单元,其基板为蚀刻背面贴膜的框架,主要存在以下不足:

1、常规QFN框架都是基于蚀刻制程,制作成本较高,且常规QFN框架都需贴膜,如需达到高强度稳定性,还需要贴昂贵的热固性框架贴膜,框架成本翻倍;

2、另外常规QFN产品包封容易产生溢料,此乃常规QFN制程中最大的缺陷,所以常规QFN产品都有机械除胶(磨胶)或化学除胶(化胶)这一专门处理溢料的站别。

多圈QFN(Quad Flat No-lead Package)是近期发展起来的一种新的封装形式,其基本结构与QFN 封装相似,不同的是它有多排外引脚,多排外引脚之间可以交错排列,以增加外引脚的密度。常规QFN由于引脚间隙过小,无法形成多圈QFN。目前MIS(预塑封互联基板)封装可形成多圈,但是其是基于电镀和预包封技术,因此成本较高。

另外常规QFNFC(倒装四面无引脚封装)产品对半蚀刻区长度有要求,如超过一定长度则共面性受到极大影响,所以框架爱半蚀刻区域不可设计过长,这对设计造成很大限制,且常规QFNFC产品装片后包封前,因为框架强度不高,如不轻拿轻放,会造成solder bump crack(凸点焊锡开裂),此缺陷为FC类产品最主要的失效原因之一。

发明内容

本发明的目的在于克服上述不足,提供一种新型四面无引脚封装工艺方法,它使用金属基板,通过锻造在金属基板上表面形成凸块(基岛和引脚的上半部),框架在包封前各引脚一体并不分离,在包封后利用蚀刻或切割进行引脚的分割,由于在打线作业时框架是一体设计,其结构强度非常大,打线作业时不会产生晃动,不仅可以轻松采用铜线打线工艺,而且可以避免焊点球脱或间隙不良的问题;另外包封时不会产生溢料问题,所以,此设计不仅可以提升生产效率,而且可以有效提升产品的良率与可靠性。

本发明的目的是这样实现的:一种新型四面无引脚封装工艺方法,其特征在于所述方法包括如下步骤:

步骤一、取一金属基板;

步骤二、在金属基板上冲压出定位孔并通过冲压或锻压在金属基板正面形成凸块,即基岛和引脚的上半部;

步骤三、在金属基板正面进行装片打线或装片回流焊;

步骤四、在金属基板正面进行塑封作业;

步骤五、在金属基板背面进行电镀金属层作业;

步骤六、从金属基板背面进行切割或蚀刻,切割或蚀刻至塑封料底部为止,从而实现各引脚、基岛的分离;

步骤七、在基板背面引脚与基岛的切割或蚀刻间隙区域涂布绿漆,从而增加引脚、基岛与塑封料的接合性;

步骤八、封装体切割得到独立的封装单元。

所述步骤七中当切割区域较小时可用切割来实现引脚分离,当大面积或复杂图形可用蚀刻法分离不同网络的引脚。

所述步骤一中金属基板材料为铜材或铁材。

所述金属层材料为纯锡、银或者镍钯金。

与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:

1、框架不需要蚀刻,且不用框架贴膜,节约了成本;

2、在包封前,整个框架是一体设计,其结构强度非常大,打线作业时不会出现晃动,不仅可以轻松采用铜线打线工艺,而且可以避免焊点球脱或间隙不良的问题;

3、在包封前,整个框架背面是一体结构,包封时不会产生溢料问题,所以,不仅可以避免了除溢胶的生产成本,而且可以大幅提高产品良率;

4、可以根据产品设计需要低成本灵活实现四面无引脚封装的单圈结构、多圈结构,从而广泛提高产品的应用;

5、对于QFNFC(倒装四面无引脚封装)产品,由于是完成正面倒装塑封后再进行背面引脚的蚀刻,所以其引脚半蚀刻区域可以根据需要灵活无限设计,不受传统工艺的设计限制;

6、对于QFNFC(倒装四面无引脚封装)产品,因为框架背面为平板整体,强度很高,可以极大地降低传输中solder bump crack(凸点焊锡开裂)的风险。

附图说明

图1~图7为本发明一种新型四面无引脚封装工艺方法实施例一的部分工序示意图,其中图3为图2的A-A剖视图,图5为图4的B-B剖视图。

图8~图14为本发明一种新型四面无引脚封装工艺方法实施例二的部分工序示意图,其中图10为图9的C-C剖视图,图12为图11的D-D剖视图。

具体实施方式

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