[发明专利]鳍式场效应晶体管及其鳍的制造方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的鳍的制造方法，其特征在于，包括步骤：

提供衬底；

在衬底上形成图案化的初始掩膜，该初始掩膜为第一结构；

形成N次侧墙掩膜，每次形成侧墙掩膜的步骤包括：在第n结构的侧壁上形成第n侧墙掩膜，获得第n+1结构，n从1至N，N≥1；

选择性地间隔去除上述掩膜；

以剩余的掩膜为掩蔽，刻蚀衬底以形成鳍。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在衬底上形成图案化的初始掩膜的步骤具体包括：

在衬底上淀积初始掩膜层；

在初始掩膜层上形成第一图案；

在第一图案的侧壁上形成侧墙，并去除第一图案；

以第一图案的侧墙为掩蔽，刻蚀初始掩膜层，以形成图案化的初始掩膜；

去除第一图案的侧墙。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，相间隔的掩膜具有相同的材料，并与相邻的掩膜具有刻蚀选择性。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，初始掩膜为多晶硅，与其相邻的掩膜为氮化硅，在形成初始掩膜之前，还包括步骤：在衬底上形成第一垫氧层。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，选择性地间隔去除上述掩膜的步骤具体包括：采用湿法腐蚀，选择性地去除初始掩膜及与其间隔的掩膜。

6.一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，采用权利要求1-5中任一项所述的方法形成鳍。