[发明专利]发光二极管封装结构在审
申请号: | 201410442074.0 | 申请日: | 2014-09-02 |
公开(公告)号: | CN105428494A | 公开(公告)日: | 2016-03-23 |
发明(设计)人: | 杨政华;张忠民 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 汪飞亚 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体元件,尤其涉及一种发光二极管。
背景技术
传统的发光二极管封装结构包括基板以及设置在基板上的发光二极管芯片。所述基板包括焊接发光二极管芯片的焊接区。所述发光二极管芯片焊接至基板的焊接区时易于偏离焊接区,导致整个发光二极管封装结构的品质下降。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种品质较高的发光二极管封装结构。
一种发光二极管封装结构,包括基板以及设置在基板上的发光二极管芯片,所述基板上间隔设置有第一焊接区及第二焊接区,所述发光二极管芯片包括间隔设置的第一电极及第二电极,所述第一电极与第二电极对称设置且面积相等,所述第一电极及第二电极分别与所述第一焊接区及第二焊接区对应焊接。
一种发光二极管封装结构,包括基板以及设置在基板上的发光二极管芯片,所述基板包括第一焊接区、第二焊接区以及第三焊接区,所述发光二极管芯片包括与所述第一、第二以及第三焊接区对应焊接的第一电极、第二电极以及第三电极,所述第一电极与第三电极对称地设置在第二电极的相对两侧且所述第一电极的面积等于所述第三电极的面积。
本发明的发光二极管封装结构中,由于所述发光二极管芯片的电极对称设置且面积相等,从而使得发光二极管芯片焊接至所述基板的过程中发光二极管芯片受力平衡及力矩平衡而不易自所述基板的焊接区偏离,提高了发光二极管封装结构的品质。
附图说明
图1为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的安装示意图。
图2为图1所示的发光二极管封装结构的基板的俯视图。
图3为图1所示的发光二极管封装结构的发光二极管芯片的底面示意图。
图4为本发明第二实施例的发光二极管封装结构的安装示意图。
图5为图4所示的发光二极管封装结构的基板的俯视图。
图6为图4所示的发光二极管封装结构的发光二极管芯片的底面示意图。
图7为图4所示的发光二极管封装结构的另一基板的俯视图。
图8为本发明的第三实施例的发光二极管封装结构的基板的俯视图。
图9为本发明的第三实施例的发光二极管封装结构的发光二极管芯片的底面示意图。
主要元件符号说明
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