[发明专利]光电二极管以及光电二极管阵列

权利要求书

1.一种光电二极管阵列，其特征在于，

是将入射被检测光的多个光检测通道形成于具有第1导电类型的半导体层的硅基板而成的光电二极管阵列，

包括：

第2导电类型的外延半导体层，其形成于第1导电类型的所述半导体层上，在与该半导体层的界面构成pn结，并且以各倍增区域与所述各光检测通道相互对应的方式，具有使通过所述被检测光的入射而产生的载流子进行雪崩倍增的多个倍增区域；以及

多个电阻，其具有两个端部，且对于各所述光检测通道而设置，经由一方的所述端部而与所述外延半导体层电性连接，并且经由另一方的所述端部而与信号导线连接，

在第1导电类型的所述半导体层中的至少与所述各光检测通道对应的表面形成有不规则的凹凸，

第1导电类型的所述半导体层中的至少与所述各光检测通道对应的所述表面光学性地露出，

所述光电二极管阵列是背面入射型，形成有不规则的所述凹凸的所述表面被作为光入射面，从形成有不规则的所述凹凸的所述表面入射的光在所述硅基板内行进。

2.一种光电二极管阵列，其特征在于，

是将入射被检测光的多个光检测通道形成于具有第1导电类型的半导体层的硅基板而成的光电二极管阵列，

包括：

第1导电类型的外延半导体层，其形成于第1导电类型的所述半导体层上，且以各倍增区域与所述各光检测通道相互对应的方式，具有使通过所述被检测光的入射而产生的载流子进行雪崩倍增的多个倍增区域；

第2导电类型的半导体区域，其形成于所述第1导电类型的外延半导体层中，且在与该外延半导体层的界面构成pn结；以及

多个电阻，其具有两个端部，且对于各所述光检测通道而设置，经由一方的所述端部而与所述外延半导体层中的所述第2导电类型的半导体区域电性连接，并且经由另一方的所述端部而与信号导线连接，

在第1导电类型的所述半导体层中的至少与所述各光检测通道对应的表面形成有不规则的凹凸，

第1导电类型的所述半导体层中的至少与所述各光检测通道对应的所述表面光学性地露出，

所述光电二极管阵列是背面入射型，形成有不规则的所述凹凸的所述表面被作为光入射面，从形成有不规则的所述凹凸的所述表面入射的光在所述硅基板内行进。

3.如权利要求1或2所述的光电二极管阵列，其特征在于，

在第1导电类型的所述半导体层中的与所述多个光检测通道之间对应的表面还形成有不规则的凹凸，并且该表面光学性地露出。

4.如权利要求1～3中任意一项所述的光电二极管阵列，其特征在于，

将所述硅基板的形成有多个光检测通道的部分薄化，并残留该部分的周边部分。

5.如权利要求1～4中任意一项所述的光电二极管阵列，其特征在于，

第1导电类型的所述半导体层的厚度大于不规则的所述凹凸的高低差。

6.如权利要求1～5中任意一项所述的光电二极管阵列，其特征在于，

从形成有不规则的所述凹凸的所述表面入射的光被不规则的所述凹凸散射。

7.如权利要求1～6中任意一项所述的光电二极管阵列，其特征在于，

从形成有不规则的所述凹凸的所述表面入射并在所述硅基板内行进的光被不规则的所述凹凸反射、散射或者扩散。