[发明专利]基片处理的控制设备及其控制方法在审
申请号: | 201410390042.0 | 申请日: | 2014-08-08 |
公开(公告)号: | CN104157596A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | 熊丹 | 申请(专利权)人: | 熊丹 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L31/18 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 523011 广东省东莞市南城*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 控制 设备 及其 方法 | ||
1.一种基片处理的控制设备,包括:处理装置、分别与所述处理装置接应的第一传送机构及第二传送机构,其特征在于:
所述第一传送机构用于将待加热的基片组传送至所述处理装置;
所述处理装置包括若干加热装置,所述加热装置用于定时接收待加热的所述基片组并对待加热的所述基片组加热,所述处理装置将达到加热周期的所述基片组所对应的加热装置移动至所述第二传送机构的位置,形成空载状态后的所述加热装置接收下一待加热的基片组并进行加热;
所述第二传送机构用于将达到加热周期的所述基片组传送至下一平台。
2.如权利要求1所述的基片处理的控制设备,其特征在于:所述处理装置还包括若干冷却装置,所述冷却装置用于定时接收来自所述第二传送机构传送的待冷却的所述基片组并进行冷却,所述处理装置将达到冷却周期的所述基片组所对应的冷却装置移动至所述第一传动机构的位置,达到冷却周期的所述基片组由所述第一传动机构传送输出。
3.如权利要求2所述的基片处理的控制设备,其特征在于:所述处理装置的加热装置及冷却装置呈交错的间隔排列。
4.如权利要求1所述的基片处理的控制设备,其特征在于:所述第一传动机构及第二传动机构位于同一直线上并分别置于所述处理装置的两侧。
5.如权利要求1所述的基片处理的控制设备,其特征在于:还包括机械手,所述机械手设置于所述第一传动机构的远离所述处理装置的一端,用以对所述基片组进行初始放置及最终移取。
6.如权利要求1所述的基片处理的控制设备,其特征在于:还包括一夹具,用以夹持固定所述基片组。
7.如权利要求1所述的基片处理的控制设备,其特征在于:还包括一轨道,用以供所述处理装置在其上滑移。
8.如权利要求1所述的基片处理的控制设备,其特征在于:所述下一平台为镀膜装置。
9.一种如权利要求1所述的基片处理的控制设备的控制方法,其特征在于,包括:
处理装置的各个加热装置定时接收来自第一传送机构传送的待加热的基片组并对待加热的所述基片组加热;
当所述基片组达到加热周期时,所述处理装置将所述基片组所对应的加热装置移动至第二传送机构的位置,达到加热周期的所述基片组由所述第二传送机构传送至下一平台并使所述加热装置形成空载状态;
形成空载状态的所述加热装置再次接收来自所述第一传送机构传送的待加热的基片组并进行加热。
10.如权利要求9所述的控制方法,其特征在于,还包括:所述处理装置的各个冷却装置定时接收来自所述第二传送机构传送的待冷却的所述基片组并进行冷却,当所述基片组达到冷却周期时,所述处理装置将所述基片组所对应的冷却装置移动至所述第一传动机构的位置,达到冷却周期的所述基片组由所述第一传动机构传送输出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造