[发明专利]一种OLED显示器件及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 201410381736.8 | 申请日: | 2014-08-05 |
公开(公告)号: | CN104157675A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | 程鸿飞;乔勇;卢永春;先建波 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 器件 及其 制作方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示器件及其制作方法、显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光器件)显示器是新一代的显示器,与液晶显示器相比,具有很多优点如:自发光,响应速度快,宽视角等,可以用于柔性显示,透明显示,3D显示等。
以图1所示的OLED显示器为例,OLED显示器包括:对合的阵列基板20以及封装基板10。阵列基板20包括第一衬底21、薄膜晶体管22(包括栅极221、源级222和漏极223)、与薄膜晶体管22的漏极223连接的阳极23、位于阳极23之上的有机功能层25、位于有机功能层25之上的阴极26。封装基板10包括第二衬底11、彩色膜层13、黑矩阵层12以及保护层14;阵列基板20和封装基板10之间设置有填充物30。其中有机功能层25还可以进一步细分为:空穴传输功能层(HTL层)、发光功能层(EML层)、电子传输功能层(ETL层)等等。
其中,阳极、阴极以及有机功能层构成有机发光器件,其主要的工作原理是有机功能层在阳极和阴极所形成电场的驱动下,通过载流子注入和复合而发光。
如图1所示的OLED显示器的阴极26一般采用薄层金属银制备,阳极23一般采用ITO(Indium tin oxide,氧化铟锡)制备。薄层金属银以及ITO的电阻率较高。尤其是对于大面积成型的阴极26,采用薄层金属银制备的阴极电阻率较大,压降(IR drop)较大,造成OLED器件的实际驱动电压与电源电压有较大差异,在大尺寸的OLED显示器上,表现为大面积的亮度不均匀,影响显示效果。
发明内容
本发明的实施例提供一种OLED显示器件及其制作方法、显示装置,解决了现有的OLED显示器件中阴极的传输电阻大,带来的压降大、亮度不均的问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明实施例提供了一种OLED显示器件,包括:薄膜晶体管、第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机功能层,其中,所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极,所述第一电极与所述漏极电连接;
所述显示器件还包括由拓扑绝缘体形成的第一辅助电极,所述第一辅助电极与所述第二电极电连接,向所述第二电极提供电信号;
其中,所述第一电极和所述第二电极分别为阳极和阴极。
本发明实施例提供了一种OLED显示器件的制作方法,包括:
形成薄膜晶体管,包括形成栅极、源极和漏极;
形成第一电极,所述第一电极与所述漏极电连接;
形成有机功能层和形成第二电极,其中所述第一电极和所述第二电极分别为阳极和阴极;
利用拓扑绝缘体形成与所述第二电极电连接的第一辅助电极,所述第一辅助电极用于向所述第二电极提供电信号。
本发明实施例提供了一种显示装置,包括阵列基板和封装基板,所述阵列基板和封装基板形成有本发明实施例提供的任一所述的OLED显示器件。
本发明实施例提供的一种OLED显示器件,拓扑绝缘体的导电性能好,采用拓扑绝缘体形成第一辅助电极,且通过所述第一辅助电极向第二电极提供电信号,有利于减小第二电极的压降,进而使得显示的亮度均匀。且拓扑绝缘体导电时间长也不会发热,有利于显示器件的长时间进行显示。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有的OLED显示装置示意图;
图2为本发明实施例提供的一种OLED显示器件示意图;
图3为本发明实施例提供的一种OLED显示器件制作方法示意图;
图4为本发明实施例提供的一种形成第一辅助电极的方法示意图;
图5为本发明实施例提供的一种OLED显示装置示意图;
图6为本发明实施例提供的另一种OLED显示装置示意图;
图7为本发明实施例提供的另一种OLED显示装置示意图。
附图标记:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的