[发明专利]一种OLED显示器件及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种OLED显示器件，包括：薄膜晶体管、第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机功能层，其中，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述第一电极与所述漏极电连接；其特征在于，

所述显示器件还包括由拓扑绝缘体形成的第一辅助电极，所述第一辅助电极与所述第二电极电连接，向所述第二电极提供电信号；

其中，所述第一电极和所述第二电极分别为阳极和阴极。

2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述第一辅助电极为拓扑绝缘体形成的二维纳米结构。

3.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述拓扑绝缘体包括HgTe、Bi_xSb_1-x、Sb₂Te₃、Bi₂Te₃、Bi₂Se₃、T₁BiTe₂、T₁BiSe₂、Ge₁Bi₄Te₇、Ge₂Bi₂Te₅、Ge₁Bi₂Te₄、AmN、PuTe、单层锡以及单层锡变体材料中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的显示器件，其特征在于，单层锡的变体材料为通过对单层锡进行表面修饰或磁性掺杂形成。

5.根据权利要求4所述的显示器件，其特征在于，单层锡的变体材料为对单层锡进行氟原子的表面修饰，形成的锡氟化合物。

6.根据权利要求1述的显示器件，其特征在于，所述第一辅助电极为条状，所述显示器件包括多条第一辅助电极。

7.一种OLED显示器件的制作方法，其特征在于，包括：

形成薄膜晶体管，包括形成栅极、源极和漏极；

形成第一电极，所述第一电极与所述漏极电连接；

形成有机功能层和第二电极，其中所述第一电极和所述第二电极分别为阳极和阴极；

利用拓扑绝缘体形成与所述第二电极电连接的第一辅助电极，所述第一辅助电极用于向所述第二电极提供电信号。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述利用拓扑绝缘体形成与所述第二电极电连接的第一辅助电极具体包括：

对基底进行图案化刻蚀，形成对应第一辅助电极的图案；

在所述图案化的基底表面形成拓扑绝缘体的薄膜；

将所述基底去除，得到由拓扑绝缘体形成的第一辅助电极图案；

将所述第一辅助电极图案贴附在对应的第一辅助电极区域使其与第二电极电连接。

9.一种显示装置，包括阵列基板和封装基板，其特征在于，所述阵列基板和封装基板形成有权利要求1-6任一项所述的OLED显示器件。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管、第一电极、第二电极、有机功能层以及第一辅助电极形成在所述阵列基板上，且所述第一辅助电极形成在所述第二电极的上面，与所述第二电极直接接触电连接。

11.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管、第一电极、第二电极以及有机功能层形成在所述阵列基板上，所述第一辅助电极形成在封装基板上。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述封装基板上还形成有第二辅助电极，所述第一辅助电极为条状时，通过所述第二辅助电极与所述第二电极电连接。

13.根据权利要求9-12任一项所述的显示装置，其特征在于，所述封装基板上形成有黑矩阵，所述第一辅助电极为条状时，所述第一辅助电极位于所述黑矩阵的对应位置处。