[发明专利]硅基MEMS麦克风及其制作方法

权利要求书

1.一种硅基MEMS麦克风，其特征在于，包括：

硅基底，所述硅基底中具有贯穿所述硅基底的背孔；

固定于所述硅基底上方的振膜，所述振膜完全覆盖所述背孔；

固定于所述振膜背离所述硅基底一侧的穿孔背板，所述穿孔背板具有多个穿孔，且与所述振膜之间具有空气间隙；

至少一个固定于所述背孔侧壁上的限位平台，所述限位平台位于所述背孔的侧壁上，与所述振膜之间具有预留间隔，且所述限位平台沿所述背孔侧壁至背孔中心方向上的长度小于所述背孔侧壁至所述背孔中心的距离。

2.根据权利要求1所述的硅基MEMS麦克风，其特征在于，所述硅基MEMS麦克风包括多个限位平台。

3.根据权利要求2所述的硅基MEMS麦克风，其特征在于，所述多个限位平台在所述背孔的侧壁上均匀分布。

4.根据权利要求3所述的硅基MEMS麦克风，其特征在于，所述硅基MEMS麦克风包括四个限位平台。

5.根据权利要求1所述的硅基MEMS麦克风，其特征在于，所述振膜与所述硅基底之间具有绝缘层，所述绝缘层位于所述硅基底表面。

6.根据权利要求5所述的硅基MEMS麦克风，其特征在于，还包括：位于所述绝缘层与所述振膜之间的介质层，所述介质层沿所述振膜至所述硅基底方向上的厚度与所述预留间隔沿所述振膜至所述硅基底方向上的厚度相同。

7.一种硅基MEMS麦克风的制作方法，其特征在于，包括：

在硅基底上形成振膜，所述振膜完全覆盖所述硅基底；

在所述振膜背离所述硅基底一侧形成穿孔背板，所述穿孔背板与所述振膜之间具有空气间隙；

对所述硅基底进行刻蚀，在所述硅基底中形成背孔和限位平台，所述限位平台位于所述背孔的侧壁上，与所述振膜之间具有预留间隔，且所述限位平台沿所述背孔侧壁至背孔中心方向上的长度小于所述背孔侧壁至所述背孔中心的距离。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述振膜上形成穿孔背板，所述穿孔背板与所述振膜之间具有空气间隙包括：

在所述振膜表面形成隔离层；

对所述隔离层进行刻蚀，形成第一通孔，所述第一通孔在所述振膜至所述硅基底方向上的投影覆盖所述背孔在所述振膜至所述硅基底方向上的投影；

在所述隔离层表面形成背板层；

对所述背板层进行刻蚀，在所述背板层中形成多个贯穿所述背板层的穿孔，形成穿孔背板，所述穿孔背板与所述振膜之间具有空气间隙；

其中，所述空气间隙沿所述穿孔背板至所述振膜方向上的高度为所述隔离层沿所述穿孔背板至所述振膜方向上的厚度。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在硅基底上形成振膜之前包括：在所述硅基底上形成绝缘层；

对所述硅基底进行刻蚀之后包括：

对所述绝缘层进行刻蚀，在所述绝缘层中形成第二通孔，所述第二通孔在所述穿孔背板至所述振膜方向上的投影与所述背孔在所述穿孔背板至所述振膜方向上的投影重合。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，该方法还包括：

在所述绝缘层和所述振膜之间形成介质层，所述介质层沿所述振膜至所述硅基底方向上的厚度与所述预留间隔沿所述振膜至所述硅基底方向上的厚度相同。