[发明专利]纳米结构

权利要求书

1.一种纳米结构，其特征在于，包括：

一基板；

多个连接分子，形成于该基板之上；以及

由与所述连接分子键结的多个金属离子所生长而成的一或多个金属纳米粒子。

2.如权利要求1所述的纳米结构，其特征在于所述连接分子为与该基板的一表面键结的有机单分子。

3.如权利要求1所述的纳米结构，其特征在于，进一步包括：

键结至或包覆所述金属纳米粒子的一介电有机材料与一无机氧化物的至少之一。

4.如权利要求1所述的纳米结构，其特征在于所述金属纳米粒子具有一平均粒径约2.0～3.0nm。

5.如权利要求1所述的纳米结构，其特征在于，进一步包括：

与所述金属离子或生长中的所述金属纳米粒子键结的一种或多种的一有机表面活性剂。

6.如权利要求5所述的纳米结构，其特征在于该有机表面活性剂为一含氮有机材料或一含硫有机材料。

7.如权利要求6所述的纳米结构，其特征在于所述金属纳米粒子具有一平均粒径约1.3～1.9nm。

8.如权利要求5所述的纳米结构，其特征在于该有机表面活性剂包括一第一有机材料及不同种类的一第二有机材料；

该第一有机材料为一含氮有机材料或一含硫有机材料；以及

该第二有机材料为一相转移催化剂基有机材料。

9.如权利要求8所述的纳米结构，其特征在于所述金属纳米粒子具有一平均粒径约0.5～1.2nm。

10.如权利要求1所述的纳米结构，其特征在于该基板具有能够与所述连接分子键结的一表面层。

11.如权利要求10所述的纳米结构，其特征在于该表面层包括选自下组的一或多种，包括：金属、金属氧化物、半导体、及半导体氧化物。

12.如权利要求1所述的纳米结构，其特征在于该基板包括一表面层，该表面层由选自下组的至少一种材料所组成，包括：硅氧化物、铪氧化物、铝氧化物、锆氧化物、钡-钛复合氧化物、钇氧化物、钨氧化物、钽氧化物、锌氧化物、钛氧化物、锡氧化物、钡-锆复合氧化物、氮化硅、氮氧化硅、硅酸锆、及硅酸铪。

13.如权利要求1所述的纳米结构，其特征在于所述连接分子为有机单分子，且所述连接分子构成一连接层，其中该连接层包括多个该有机单分子。

14.如权利要求1所述的纳米结构，其中所述连接分子形成一连接层，且该连接层为一硅烷化合物层，其具有选自下组的至少一官能团，包括：胺基、羧基、及硫醇基。

15.如权利要求1所述的纳米结构，其特征在于每一个所述连接分子包括：与该基板的一表面键结的一第一官能团、与所述金属离子或金属纳米粒子键结的一第二官能团、及用以将该第一官能团与该第二官能团彼此连接的一链基。

16.如权利要求1所述的纳米结构，其特征在于每一个所述连接分子包括选自下组的一官能团，包括：胺基、羧基、及硫醇基，做为与所述金属离子键结的官能团。

17.如权利要求1所述的纳米结构，其特征在于所述金属纳米粒子系选自下组包括：金属纳米粒子、金属氧化物纳米粒子、金属氮化物纳米粒子、金属碳化物纳米粒子、及金属间化合物纳米粒子。

18.如权利要求1所述的纳米结构，其中所述金属纳米粒子彼此分开配置并形成一单分子层。

19.如权利要求1所述的纳米结构，其特征在于，进一步包括：

一连接层，包括形成于该基板之上的所述连接分子；以及

一纳米粒子层，包括多个该金属纳米粒子，

其中该连接层与该纳米粒子层重复并交替地堆栈以形成一垂直多堆栈结构。

20.如权利要求19所述的纳米结构，其特征在于，进一步包括：

一介电材料层，形成于该垂直多堆栈结构中的一上层纳米粒子层与一下层连接层之间。

21.一种纳米结构，其特征在于，包括：

一基板；

多个连接分子，形成于该基板之上，并适于将多个金属离子与该基板耦合；以及

由所述金属离子形成的一或多个金属纳米粒子。