[发明专利]一种高电阻率碳化硅陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种高电阻率碳化硅陶瓷，其特征在于，所述高电阻率碳化硅陶瓷的组成包括1.54-3.08 wt%的Al₂O₃、3.46-6.92wt%的Er₂O₃以及碳化硅，上述三种组成之和为100wt%；所述高电阻率碳化硅陶瓷含有晶化的碳化硅晶粒、包覆在晶化的碳化硅晶粒表面的非晶化碳化硅颗粒以及存在于晶化的碳化硅晶粒之间的晶界膜。

2.根据权利要求1所述的高电阻率碳化硅陶瓷，其特征在于，所述晶化的碳化硅晶粒的尺寸为0.5-0.8μm，所述非晶化碳化硅颗粒的尺寸为0.03-0.2μm，所述晶界膜的尺寸为0.5-3nm。

3.根据权利要求1或2所述的高电阻率碳化硅陶瓷，其特征在于，所得碳化硅陶瓷的电阻率在4.38×10¹⁰-3.52×10¹¹Ω·cm。

4.一种权利要求1-3中任一所述高电阻率碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

1）制备符合所述高电阻率碳化硅陶瓷的组成及组成之间比例的、含有SiC粉体、Al₂O₃粉体以及Er₂O₃粉体的均匀混合的复合粉体；

2）将步骤1）制备的复合粉体脱粘后，在放电等离子烧结炉中、1650-1750℃、真空条件下烧结，得到所述高电阻率碳化硅陶瓷。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述复合粉体的制备方式为：

1）称量符合所述高电阻率碳化硅陶瓷的组成及组成之间比例的有SiC粉体、Al₂O₃粉体以及Er₂O₃粉体，与酒精混合得到固含量为45-55wt%的浆料；

2）将所述浆料依次经过以下处理：以SiC球为研磨介质进行球磨处理、烘干、破碎研磨、过筛。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，浆料中SiC粉体、Al₂O₃粉体以及Er₂O₃粉体的质量之和与SiC球研磨介质的质量比为1：（1-3）。

7.根据权利要求4-6中任一所述的制备方法，其特征在于，所述SiC粉体为α-SiC粉体。

8.根据权利要求4-7中任一所述的制备方法，其特征在于，所述烧结的时间为10-30分钟。