[发明专利]一种选择性发射极太阳能电池

说明书

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池，尤其是涉及一种选择性发射极太阳能电池。 

背景技术

       太阳能，是取之不竭、用之不尽的无污染、无动力绿色能源，因此太阳能电池技术是当前国际上最具潜力和现实意义的新能源产业，受到各国政府的高度重视，是各国科研机构的新能源研发重点；

       对于常规生产用太阳能电池而言，想要获得较高的短路电流密度，则需要得到轻掺杂浓度和较浅的节深；而要获得较高的开路电压，则需要较高的表面掺杂浓度。同时，较高的掺杂浓度有利于获得较好的欧姆接触，减小电池的串联电阻。选择性发射极太阳能电池结构能够较好的平衡上述要求，但是以往的选择性发射极太阳能电池在光生载流子收集效率以及光吸收效率低的问题，甚至往往会出现由于表面浓度过高而出现“死层”的现象。

发明内容

本发明提供一种选择性发射极太阳能电池，该选择性发射极太阳能电池结构能够在整体上提高光吸收效率，光生载流子收集效率，避免表面死层现象；

       本发明涉及了一种太阳能电池，尤其是一种选择性发射极太阳能电池，包括：

第一导电类型的矩形半导体基板，该基板具有第一表面和第二表面；

在第一表面上具有第二导电类型的第一掺杂区域，所述第一掺杂区域覆盖整个第一表面；

多个第二导电类型的第二掺杂区域，从所述第一表面垂直向上凸起，并沿着与基板的一个侧边平行的方向延伸，所述多个第二掺杂区域的掺杂浓度大于所述第一掺杂区域浓度；

背电场和背电极位于所述第二表面；

侧壁电极层，所述电极层与所述第二掺杂区域的侧壁接触；

本发明的另一个方面，还包括多个电极条，在第一表面上沿与第二掺杂区域延伸方向不同的方向延伸，并且在电极条与第二掺杂区域和电极层相交叉的地方，电极条与第二掺杂区域和电极层接触；

侧壁电极层完全覆盖第二掺杂区域的侧壁，但是在第二掺杂区域的上表面没有分布所述侧壁电极层；

进一步的，所述背电极为埋入式电极，并包括在所述第二表面沿着第一方向延伸的多条第一背电极。所述背电极还包括第二环形电极。所述第一背电极位于所述第二环形电极内，并且所述第一电极的两端与所述环形电极接触；

进一步的，本发发明的太阳能电池还包括：防反射膜，位于未被第二掺杂区域覆盖的第一掺杂区域和第二掺杂区域的上表面上，在第二掺杂区域侧壁的电极层没有所述防反射膜。所述防反射膜为双层结构，其中更靠近光照射的上层折射率大于下层；

本发明的另外一方面，嵌入电极层与侧壁电极层平行，并且其厚度等于或小于侧壁电极层，或者嵌入电极层设置成沿折线的方式延伸，并在折角处与侧壁电极层接触。

附图说明

       图1 本发明的一个实施例的太阳能电池的立体示意图（未显示防反射层）；

       图2 本发明的另一个实施例的太阳能电池的立体示意图（未显示防反射层）；

图3 图1中沿A-B方向的剖面图；

图4 本发明中的一个实施例的太阳能电池背电极平面图；    

图5 图4中沿C-D方向的剖面图。 

具体实施方式

为了使得本发明的目的和有益效果及优点变得更加直观和清除，以下将结合实施例和附图，来对本发明做进一步详细的说明。应当理解，此处提供的具体实施例仅是用以理解本发明，并不能限定本发明；

说明书中使用的“A层在B层之上”应理解为在位置关系上B层位于A层的更上层，但不能排除在A层和B层之间还具有额外的层；

本发明的一个实施例，请参考图1和图3，为制作太阳能电池，尤其是选择性发射极太阳能电池提供的矩形半导体基板（1），该基板（1）可以为N-型或者P-型单晶硅，多晶硅太阳能电池通用的基板，在形成太阳能电池前经过蚀刻清洗干净。该基板（1）具有第一表面(S1)和第二表面(S2)，第一表面(S1)为面对太阳光照射的表面，第二表面(2)为背对太阳光照射的表面。在第一表面(S1)处具有第一掺杂区域（2），第一掺杂区域（2）与基板（1）的掺杂类型相反，例如选用N-型基板是，该第一掺杂区域（2）为P型，第一掺杂区域（2）为连续的层状区域，布满整个基板（1）的第一表面(S1)，并且具有第一薄层电阻率；