[发明专利]一种选择性发射极太阳能电池在审
申请号: | 201410360134.4 | 申请日: | 2014-07-28 |
公开(公告)号: | CN104091840A | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
发明(设计)人: | 司红康;马梅;谢发忠 | 申请(专利权)人: | 六安市大宇高分子材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0352 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 237000 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 选择性 发射极 太阳能电池 | ||
1.一种太阳能电池,包括:
第一导电类型的矩形半导体基板,该基板具有第一表面和第二表面;
在第一表面上具有第二导电类型的第一掺杂区域,所述第一掺杂区域覆盖整个第一表面;
多个第二导电类型的第二掺杂区域,从所述第一表面垂直向上凸起,并沿着与基板的一个侧边平行的方向延伸,所述多个第二掺杂区域的掺杂浓度大于所述第一掺杂区域浓度;
背电场和背电极位于所述第二表面;
侧壁电极层,所述电极层与所述第二掺杂区域的侧壁接触。
2.如权利要求1所述的太阳能电池,还包括:多个电极条,在第一表面上沿与第二掺杂区域延伸方向不同的方向延伸,并且在电极条与第二掺杂区域和电极层相交叉的地方,电极条与第二掺杂区域和电极层接触。
3. 如权利要求2所述的太阳能电池,所述侧壁电极层完全覆盖第二掺杂区域的侧壁,但是在第二掺杂区域的上表面没有分布所述侧壁电极层。
4. 如权利要求1所诉的太阳能电池,所述背电极为埋入式电极,并包括在所述第二表面沿着第一方向延伸的多条第一背电极。
5.如权利要求4所述的太阳能电池,所述背电极还包括第二环形电极;
所述第一背电极位于所述第二环形电极内,并且所述第一电极的两端与所述环形电极接触。
6. 如权利要求1-5所述的太阳能电池,所述太阳能电池还包括:防反射膜,位于未被第二掺杂区域覆盖的第一掺杂区域和第二掺杂区域的上表面上,在第二掺杂区域侧壁电极层的侧壁上没有所述防反射膜。
7. 如权利要求1-6所述的太阳能电池,所述防反射膜为双层结构,其中更靠近光照射的上层折射率大于下层。
8.一种太阳能电池,包括:
第一导电类型的矩形半导体基板,该基板具有第一表面和第二表面;
在第一表面上具有第二导电类型的第一掺杂区域,所述第一掺杂区域覆盖整个第一表面;
多个第二导电类型的第二掺杂区域,从所述第一表面垂直向上凸起,并沿着与基板的一个侧边平行的方向延伸,所述多个第二掺杂区域的掺杂浓度大于所述第一掺杂区域浓度;
背电场和背电极位于所述第二表面;
侧壁电极层,所述侧壁电极层完全覆盖第二掺杂区域的侧壁并与第二掺杂区域侧壁接触,但是在第二掺杂区域的上表面没有分布所述侧壁电极层;
所述第二中掺杂区的两个所述侧壁电极层之间还设置有一个或者多个嵌入电极层,该嵌入电极层与侧壁电极层平行,并且其厚度等于或小于侧壁电极层。
9.如权利要求8所述的太阳能电池,所述嵌入电极层设置成沿折线的方式延伸,并在折角处与侧壁电极层接触。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于六安市大宇高分子材料有限公司,未经六安市大宇高分子材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410360134.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:森林防火用过电保护智能开关及其过电保护方法
- 下一篇:便于观察的熔断器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的