[发明专利]一种正装倒置芯片的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及LED封装技术领域，具体地说是一种正装倒置芯片的制备方法。

背景技术

目前，常见的LED灯丝内部的芯片有两种，一种是正装芯片，另一种是倒装芯片。正装芯片电极在上方，从上至下材料为：P电极，发光层，N电极，衬底。正装芯片一般采用胶水固定，正装芯片之间采用连接线相互连接，正装芯片是最早出现的芯片结构，正装芯片的电极挤占发光面积，从而影响了发光效率。

为了提高芯片的发光效率，技术人员研发了倒装芯片。倒装芯片的衬底被剥去,芯片材料是透明的，使发光层激发出的光直接从电极的另一面发出。倒装芯片虽然在发光效率上存在优势，但倒装芯片的价格较高，制备LED灯丝的工艺也更复杂，造成生产成本的大幅上升。

目前，市面上一些已有的正装倒置芯片的LED灯丝制备方法，都是将锡膏涂覆在电线上，然后再将芯片的电极点贴附到锡膏上，由于芯片的电极点于芯片的背面且尺寸较小，在贴附时，很容易发生锡膏与电极点未接触的情况，从而导致芯片与电路之间无法导通，进而导致LED灯丝出现次品，依然使生产成本难以降低。

因此，需要设计一种能够提高芯片与印刷电路之间的导通率的正装倒置芯片的制备方法。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术的不足，提供了一种能够提高芯片与印刷电路之间的导通率的正装倒置芯片的制备方法。

为了达到上述目的，本发明设计了一种正装倒置芯片的制备方法，其特征在于：按照如下步骤制备：

步骤1，选取外延片，在外延片表面涂布光刻胶。

步骤2，对外延片进行光罩破光。

步骤3，去除外延片表面电极点的光刻胶。

步骤4；在外延片表面电极点处印刷锡膏并将锡膏熔花成锡球。

步骤5，将若干个锡球表面磨平，使若干个锡球的高度相同。

步骤6，将外延片表面剩余的光刻胶全部去除。

步骤7，将外延片减薄。

步骤8，将外延片切割并裂片，形成若干块芯片。

所述的将锡膏熔化成锡球的方法为用高于锡熔点的温度加热锡膏并回流成锡球。

所述的外延片为蓝宝石外延片。

所述的光刻胶采用匀胶机涂布在外延片表面，所述的光刻胶的厚度为20微米以上。

所述的光罩破光采用光刻机在外延片表面形成图案。

所述的锡球表面磨平采用研磨机。

所述的外延片减薄采用研磨机。

所述的外延片减薄至100um。

所述的外延片切割采用激光切割。

本发明同现有技术相比，设计了正装倒置芯片的制备方法，先在外延片上光罩破光，再植锡球并磨成相同高度，最后对外延片进行减薄、切割和裂片，在后续芯片与基板表面的印刷电路焊接时，保证了锡球能够分别与芯片电极和印刷电路连接，从而提高了芯片与印刷电路的导通性。

具体实施方式

现对本发明做进一步描述。

本发明是一种正装倒置芯片的制备方法，按照如下步骤制备：步骤1，选取蓝宝石外延片，用匀胶机在蓝宝石外延片表面涂布光刻胶，光刻胶的厚度为20微米以上。

步骤2，用光刻机对蓝宝石外延片表面光刻胶进行光罩破光，光罩破光的目的是在蓝宝石外延片表面形成图形，这个图形就是所需要的芯片形状，可以按照不同的芯片形状要求，设计不同的图形。在光刻时，光刻胶对蓝宝石外延片起到保护作用，避免蓝宝石外延片表面受损。

步骤3，去除蓝宝石外延片表面电极点的光刻胶。

步骤4；在蓝宝石外延片表面电极点处印刷锡膏，由于高温的作用，锡膏自然回流成锡球。在印刷锡膏时，光刻胶对除电极点以外的蓝宝石外延片起到保护作用，避免除电极点以外的蓝宝石外延片表面受损。

步骤5，用研磨机将若干个锡球表面磨平，使若干个锡球的高度相同，以便于在采用助焊剂将芯片底部的锡球固定在非透明基板表面的印刷电路上时，从而使芯片在非透明基板表面保持水平。

步骤6，将蓝宝石外延片表面剩余的光刻胶全部去除。

步骤7，采用研磨机将蓝宝石外延片减薄至100um。

步骤8，将蓝宝石外延片用激光切割并裂片，形成若干块芯片，每个芯片的两个电极上各有一个锡球，两个锡球的高度相同。

采用本发明制成的芯片，在芯片与基本固定时，采用助焊剂将芯片底部的锡球固定在非透明基板表面的印刷电路上，由于印刷电路的宽度是可以调节的，而芯片的电极大小是固定的且尺寸很小，所以先在芯片的电极点植锡球，再用助焊剂将锡球与印刷电路连接，保证了芯片与印刷电路之间的导通。