[发明专利]一种碳化硅介孔陶瓷的制备方法有效
申请号: | 201410343082.X | 申请日: | 2014-07-18 |
公开(公告)号: | CN104058782A | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
发明(设计)人: | 余兆菊;冯珧;张佩;闵浩 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | C04B38/00 | 分类号: | C04B38/00;C04B35/565;C04B35/622 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人: | 刘勇 |
地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 陶瓷 制备 方法 | ||
1.一种碳化硅介孔陶瓷的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)在惰性气氛保护下,将聚二甲基硅氧烷与液态超支化聚碳硅烷共混,经搅拌后形成颜色均一透明的溶液,制得混合物A;
2)在惰性气体保护下,将步骤1)所得混合物A在60~300℃下交联固化,得到固体混合物B;
3)将步骤2)所得混合物B在惰性气氛下进行热解反应,制得碳化硅介孔陶瓷。
2.如权利要求1所述一种碳化硅介孔陶瓷的制备方法,其特征在于,在步骤1)中,所述聚二甲基硅氧烷的分子结构式为R3Si-[Si(CH3)2O]n-SiR’3,其中R,R’为烷基、烷氧基有机基团,n由运动粘度确定,运动粘度为50~500厘泊。
3.如权利要求1所述一种碳化硅介孔陶瓷的制备方法,其特征在于,在步骤1)中,所述液态超支化聚碳硅烷为主链含有硅-碳键,侧链含有硅-氢键的液态超支化聚合物,平均结构式为—[SiHR—CH2]n—,其中R为氢原子、烷基、烯基、炔基有机基团,n≥3。
4.如权利要求1所述一种碳化硅介孔陶瓷的制备方法,其特征在于,在步骤1)中,所述聚二甲基硅氧烷与聚碳硅烷按质量比为0.5∶1~5∶1。
5.如权利要求1所述一种碳化硅介孔陶瓷的制备方法,其特征在于,在步骤3)中,所述热裂解反应的温度为600~1400℃。
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