[发明专利]具有反向导通IGBT和栅极驱动器电路的电子电路

权利要求书

1. 一种电子电路，包括：

反向导通IGBT，在第一关闭状态栅极电压下具有第一二极管发射极效率，并且在第二关闭状态栅极电压下具有不同的第二二极管发射极效率；以及

驱动器电路，包括：驱动器端子，电耦接到所述反向导通IGBT的栅极端子，其中，所述驱动器电路被配置为：在所述驱动器端子处，在第一状态下提供打开状态栅极电压，在第二状态下提供所述第一关闭状态栅极电压，并且在第三状态下提供所述第二关闭状态栅极电压。

2. 如权利要求1所述的电子电路，其中，所述驱动器电路被配置为：从施加到第一电压端子的第一电压取得所述打开状态栅极电压，并且从施加到第二电压端子的第二电压取得所述第一关闭状态栅极电压。

3. 如权利要求2所述的电子电路，其中，所述驱动器电路被配置为：从施加到第三电压端子的第三电压取得所述第二关闭状态栅极电压。

4. 如权利要求2所述的电子电路，包括：电压调节器电路，被配置为：从所述第一电压和第二电压取得所述第二关闭状态栅极电压。

5. 如权利要求1所述的电子电路，其中，所述第二关闭状态栅极电压与所述第一关闭状态栅极电压偏离至少0.5V。

6. 如权利要求1所述的电子电路，其中，所述第二二极管发射极效率与所述第一二极管发射极效率偏离至少5%。

7. 如权利要求1所述的电子电路，还包括：控制电路，被配置为：控制所述驱动器电路，以在所述第二状态与所述第三状态之间进行改变。

8. 如权利要求7所述的电子电路，其中，所述控制电路控制所述驱动器电路，以响应于施加到所述控制电路的控制信号而在所述第二状态与所述第三状态之间进行改变。

9. 如权利要求7所述的电子电路，其中，所述控制电路控制所述驱动器电路，以响应于内部状态的改变而在所述第二状态与所述第三状态之间进行改变。

10. 如权利要求1所述的电子电路，其中，所述反向导通IGBT被适配为：在所述打开状态栅极电压下在主体区带中形成第一反型层，在所述第一关闭状态栅极电压下在漂移区带中形成第二反型层，并且在所述第二关闭状态栅极电压下在所述漂移区带中不形成或者形成第三反型层，其中，所述第三反型层不同于所述第二反型层。

11. 如权利要求1所述的电子电路，其中，所述反向导通IGBT包括栅极电极，所述栅极电极从半导体部分的第一表面延伸到漂移区带中，其中，所述漂移区带具有第一导电类型，相反的第二导电类型的主体区带被布置在所述第一表面与所述漂移区带之间，并且介电衬连部分离所述栅极电极与所述半导体部分。

12. 如权利要求11所述的电子电路，其中，所述半导体部分包括所述第二导电类型的浮置区带，其中，所述浮置区带在所述第一状态和所述第三状态下浮置，并且第二反型层在所述第二状态下连接所述主体区带和所述浮置区带。

13. 如权利要求11所述的电子电路，其中，沟槽接触从所述第一表面延伸到所述主体区带中。

14. 如权利要求11所述的电子电路，其中，在所述主体区带与电连接到所述主体区带的电极结构之间提供界面层，从接触材料提供所述界面层，其中，随着降低所述主体区带中的杂质浓度，在所述接触材料与所述主体区带之间的接触电阻增加。

15. 如权利要求14所述的电子电路，其中，所述接触材料选自由TiW、TiN、TaN和Ta构成的组。

16. 一种半桥电路，包括：至少两个如权利要求1所述的电子电路，其中所述反向导通IGBT被串联地电布置。

17. 一种IGBT模块，包括：至少两个如权利要求1所述的电子电路。