[发明专利]一种阵列基板及制作方法、一种显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

位于阵列基板边缘的第一金属区域，与公共电极线或者公共电极电性连接；所述第一金属区域包括至少两个第一子金属区域，所述第一子金属区域之间通过第一连接线电性连接或者直接电性连接；

位于阵列基板边缘、且与所述第一金属区域相对应且绝缘的第二金属区域，用于接入稳压电压，所述稳压电压为一固定电压；所述第二金属区域包括至少两个第二子金属区域，所述第二子金属区域之间通过第二连接线电性连接或者直接电性连接；

所述第一金属区域和所述第二金属区域形成至少一电容；所述至少一电容位于阵列基板内。

2.如权利要求1所述的阵列基板，所述第一金属区域由栅金属层制成，所述第二金属区域由源漏金属层制成。

3.如权利要求1所述的阵列基板，所述第一连接线由公共电极ITO层或者源漏金属层制成。

4.如权利要求1所述的阵列基板，所述第二连接线由像素电极ITO层制成。

5.如权利要求1所述的阵列基板，所述稳压电压为接地电压或由一电源提供的固定电压。

6.如权利要求1所述的阵列基板，所述第一金属区域通过过孔与所述公共电极线或公共电极电性连接，或者，所述第一金属区域与所述公共电极线直接电性连接或通过连接线电性连接。

7.一种显示装置，其包括权利要求1-6任一项所述的阵列基板，还包括一公共电极电压产生单元，用于向公共电极提供电压。

8.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在透明基板上形成第一金属层，所述第一金属层包括位于阵列基板边缘的第一金属区域；所述第一金属区域包括至少两个第一子金属区域，所述第一子金属区域之间通过第一连接线电性连接或者直接电性连接；

在所述第一金属层上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成第二金属层，所述第二金属层包括与所述第一金属区域对应且绝缘的第二金属区域；所述第二金属区域包括至少两个第二子金属区域，所述第二子金属区域之间通过第二连接线电性连接或者直接电性连接；

所述第一金属区域和所述第二金属区域形成至少一电容，所述至少一电容位于阵列基板内。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征还在于，在透明基板上形成第一金属层包括：

在透明基板上形成第一金属薄膜；

利用构图工艺由所述第一金属薄膜制作栅极、栅线、公共电极线和第一金属区域。

10.如权利要求8或9所述的制造方法，其特征还在于，在绝缘层上形成第二金属层具体包括：

在绝缘层上形成第二金属薄膜；

利用构图工艺由所述第二金属薄膜制作源极、漏极和第二金属区域。

11.如权利要求8或9所述的制造方法，其特征还在于，在绝缘层上形成第二金属层具体包括：

在绝缘层上形成第二金属薄膜；

利用构图工艺由所述第二金属薄膜制作源极、漏极、第一连接线和第二金属区域，其中所述第一连接线用于连接所述第一金属区域所包括的相互不电性连接的至少两个第一子金属区域。

12.如权利要求8或9所述的制造方法，其特征还在于，该方法在形成绝缘层和形成第二金属层之间还包括在绝缘层上形成第一透明导电层的步骤，该步骤包括：

在所述绝缘层上制作过孔；

在制作过孔后的绝缘层上形成第一透明导电薄膜；

通过构图工艺由所述第一透明导电薄膜制作公共电极、第一连接线，所述第一连接线通过所述过孔连接所述第一金属区域所包括的相互不电性连接的至少两个第一子金属区域。

13.如权利要求12所述的制造方法，其特征还在于，该方法在形成第二金属层后还包括：

形成钝化层；

在所述钝化层上制作过孔；

在制作过孔后的钝化层上形成第二透明导电层，具体包括：在制作过孔后的钝化层上形成第二透明导电薄膜；通过构图工艺由所述第二透明导电薄膜制作像素电极ITO、第二连接线，所述第二连接线用于连接所述第二金属区域所包括的相互不电性连接的至少两个第二子金属区域。