[发明专利]双色探测器

权利要求书

1.一种双色探测器，其特征在于，所述双色探测器采用纵向集成结构，自下而上依次包括衬底、铝镓氮材料层、金属叉指电极、绝缘介质层、石墨烯材料层以及金属电极；

其中，所述金属叉指电极的周期T与红外探测波段的峰值波长λp的关系为λp＝0.6+α*T，其中，α＝1～2。

2.根据权利要求1所述的双色探测器，其特征在于，所述绝缘介质层的相对介电常数为2～10。

3.根据权利要求2所述的双色探测器，其特征在于，所述绝缘介质层的厚度为500～1000nm。

4.根据权利要求3所述的双色探测器，其特征在于，所述绝缘介质层的相对介电常数为2，厚度为800nm。

5.根据权利要求2所述的双色探测器，其特征在于，所述绝缘介质层的材料为氧化硅、氮化硅或氧化铝。

6.根据权利要求1所述的双色探测器，其特征在于，所述石墨烯材料层为单原子层的石墨烯材料层。

7.根据权利要求1所述的双色探测器，其特征在于，所述铝镓氮材料层中，铝的组分为40％～100％。

8.根据权利要求1或7所述的双色探测器，其特征在于，所述铝镓氮材料层的厚度为500nm～1000nm。

9.根据权利要求1所述的双色探测器，其特征在于，所述双色探测器上还设置有一钝化层，所述钝化层的材料为氧化硅、氮化硅或氧化铝。