[发明专利]磁性随机访问存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种磁性随机访问存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，该半导体衬底包括并列的单元区和外围区，所述单元区上形成有磁隧道结；

在所述半导体衬底上形成介质层，该介质层覆盖所述单元区、外围区以及磁隧道结；

对所述介质层进行刻蚀，先在所述外围区形成通孔，再在所述单元区内和外围区内形成互连线沟槽，位于所述单元区内的互连线沟槽的底部直接暴露出所述磁隧道结的顶部，位于所述外围区内的互连线沟槽与所述通孔连通；

在所述通孔和互连线沟槽中填充导电材料，以形成上层互连结构；

其中，形成所述介质层包括：

形成刻蚀停止层，该刻蚀停止层覆盖所述单元区、外围区以及磁隧道结；

形成低k材料层，该低k材料层覆盖所述刻蚀停止层；

在形成所述通孔之前还包括：将所述磁隧道结上方的低k材料层的厚度调节为预设厚度；

将所述磁隧道结上方的低k材料层的厚度调节为预设厚度包括：

对所述低k材料层进行平坦化处理，至暴露出覆盖在所述磁隧道结顶部的刻蚀停止层；

在平坦化后的低k材料层上沉积低k材料以使得该低k材料层的厚度增大，至所述磁隧道结上方的低k材料层的厚度为该预设厚度。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在刻蚀形成所述互连线沟槽时，通过控制刻蚀时间来控制刻蚀厚度以避免沉陷。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述通孔和互连线沟槽的方法包括：

刻蚀所述外围区内的介质层，以在所述外围区内形成所述通孔；

刻蚀所述外围区和单元区内的介质层，以在所述单元区和外围区内形成所述互连线沟槽。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料为掺碳氮化硅，所述低k材料层的材料为黑钻石。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底内具有下层互连结构，该下层互连结构分布于所述单元区和外围区内，其中，位于所述单元区内的下层互连结构与所述磁隧道结的底部电连接，位于所述外围区的下层互连结构与所述上层互连结构电连接。