[发明专利]基板处理装置

说明书

一种基板处理装置，能正确检测出由流体支承的晶片等基板是否正确地处于规定的处理位置。该基板处理装置具有：擦洗器(50)，其使擦洗部件(61)与基板(W)的第1面滑动接触而对该基板(W)进行表面处理；静压支承机构(90)，其通过流体而非接触地支承基板的第2面，该第2面是第1面相反侧的面；距离传感器(103)，其对擦洗器(50)与静压支承机构(90)的距离进行测量；以及处理控制部(4)，其根据距离测量值算出静压支承机构(90)与基板(W)的第2面之间的间隙，并确定间隙是否处于规定的范围以内。

技术领域

本发明涉及一种对需要高清洁度的晶片等基板的表面及/或背面进行处理的装置。

背景技术

近年来，存储电路、逻辑电路、图像传感器(例如CMOS传感器)等的器件正进一步高集成化。在形成这些器件的工序中，微粒和尘埃等异物有时会附着在器件上。附着在器件上的异物会引起配线间的短路或电路的不良情况。因此，为了提高器件的可靠性，必须对形成有器件的晶片进行清洗，去除晶片上的异物。

在晶片的背面(裸硅面)有时也附着上述那样的微粒和粉尘等异物。当这种异物附着在晶片背面上，晶片就离开曝光装置的载物台基准面或晶片表面而相对于载物台基准面倾斜，结果，会产生图案形成的错位或焦距的错位。为了防止这种问题，需要去除附着在晶片背面上的异物。

最近，除了光学式曝光技术外，还开发了一种使用了纳米压印技术的图案形成装置。该纳米压印技术是一种通过将图案形成用的压模按压在涂敷于晶片的树脂材料上而转印配线图形的技术。在纳米压印技术中，为了避免压模与晶片间以及晶片与晶片间的污物的转印，需要去除存在于晶片表面的异物。

以往，一边使晶片旋转、一边用笔形的刷子或辊形海绵对晶片进行摩擦清洗。但是，这种清洗技术的异物的去除率差，尤其难以去除100nm以上大小的异物。

专利文献1：日本专利特开平9-92633号公报

发明内容

发明所要解决的课题

因此，提出了下述基板处理装置：用高压流体从下方对晶片进行支承、使擦洗部件以高负荷与晶片滑动接触，由此将晶片表面磨削掉稍许。本发明提供一种对具有这种静压支承机构的基板处理装置进行了改进的基板处理装置。

本发明的第1目的是，提供一种基板处理装置，能对由流体支承的晶片等基板是否正确存在于规定的处理位置进行检测。

本发明的第2目的是，提供一种基板处理装置，能确定由擦洗部件磨削掉的晶片等基板厚度的减少量。

本发明的第3目的是，提供一种基板处理装置，能控制由流体支承的晶片等基板的外形。

本发明的第4目的是，提供一种基板处理装置，能通过擦洗部件均匀地对由流体支承的晶片等基板的表面进行处理。

用于解决课题的手段

为了实现上述目的，本发明的第1形态是一种基板处理装置，其特点是，具有：擦洗器，该擦洗器使擦洗部件与基板的第1面滑动接触而对该基板进行表面处理；静压支承机构，该静压支承机构通过流体而非接触地支承所述基板的第2面，所述第2面是所述第1面的相反侧的面；至少一个距离传感器，该距离传感器对所述擦洗器与所述静压支承机构的距离进行测量；以及处理控制部，该处理控制部根据所述距离的测量值，算出所述静压支承机构与所述基板的第2面之间的间隙，并确定所述间隙是否处于规定的范围以内。

本发明的较佳形态其特点是，所述处理控制部通过从所述距离的初始测量值减去当前测量值，从而确定通过所述擦洗部件进行了表面处理后的所述基板的厚度的减少量。