[发明专利]OLED显示结构及其制作方法有效
| 申请号: | 201410284265.9 | 申请日: | 2014-06-23 |
| 公开(公告)号: | CN104022144B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
| 发明(设计)人: | 易志根 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 显示 结构 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种全彩化OLED显示结构及其制作方法。
背景技术
在显示技术领域,平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)与有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode,OLED)等平板显示技术已经逐步取代CRT显示器。其中,OLED具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全彩显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED通常包括:基板、置于基板上的ITO透明阳极、置于ITO透明阳极上的空穴注入层(HIL)、置于空穴注入层上的空穴传输层(HTL)、置于空穴传输层上的发光层(EML)、置于发光层上的电子传输层(ETL)、置于电子传输层上的电子注入层(EIL)以及置于电子注入层上的阴极。为了提高效率,发光层通常采用主/客体掺杂系统。目前,OLED的制作方法是将有机材料以真空热蒸镀法成膜于ITO阳极层上,再将金属阴极以热蒸镀或溅镀的方式沉积上去。
OLED全彩化显示是OLED技术的主要发展趋势。现在提出的OLED全彩化显示技术包括RGB像素并置法、色转换法、彩色滤光片法、微共振腔法和多层堆栈法五种。其中,应用微共振腔法实现OLED全彩化显示技术具有发光效率高、色纯度高、适合于大面积生产等优点。利用微共振腔效应,使具有某特定波长的光得到增强,而其它部分的光被削弱。
微共振腔法利用微共振腔的发光特性由其光学长度决定,并与每层材料的厚度、折射率有关。目前应用较多的微共振腔多为平坦型结构,其发光强度和色彩具有较强的方向性,不利于实现宽视角显示。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED显示结构,能够实现全彩化和宽视角显示。
本发明的另一目的在于提供一种OLED显示结构的制作方法,该方法简便易实现,通过该发法制得的OLED显示结构能够进行全彩化和宽视角显示,且该方法能够简化生产工艺,有助于促进OLED大世代线生产。
为实现上述目的,本发明首先提供一种OLED显示结构,包括:基板、位于基板上的OC层及位于该OC层上的微共振腔;所述OC层远离基板的上表面呈波浪形起伏状,具有凸起的波峰部及与波峰部平滑连接的凹陷的波谷部,所述微共振腔呈与所述OC层的上表面一致的波浪形起伏状,以消除发光强度和色彩具有方向性的问题,实现宽视角显示。
所述微共振腔包括位于所述上表面上的发射层、位于发射层上的缓冲层、位于缓冲层上的电极层、位于电极层上的白光有机层及位于白光有机层上的半反半透层,所述发射层、缓冲层、电极层、白光有机层与半反半透层均呈与所述OC层的上表面一致的波浪形起伏状,以消除发光强度和色彩具有方向性的问题,实现宽视角显示。
所述缓冲层对应R、G、B不同颜色的子像素具有不同的厚度,以调整所述微共振腔的腔长,实现全彩化显示;所述发射层的材质为Ag;所述缓冲层的材质为SiNx;所述电极层的材质为ITO;所述半反半透层的材质为MgAg。
两相邻所述波峰部最高点的距离为8um,所述波峰部最高点与波谷部最低点的距离为1.6~1.8um。
所述缓冲层的折射率等于电极层的折射率。
所述微共振腔对应R、G、B不同颜色子像素的腔长分别为红光、绿光、蓝光半波长的整数倍。
所述白光有机层包括白光空穴注入层、白光空穴传输层、白光发光层、白光电子传输层、及白光电子注入层。
本发明还提供一种OLED显示结构的制作方法,包括如下步骤:
步骤1、提供一基板;
步骤2、在基板上形成OC层,并对OC层进行曝光、显影,使其形成呈波浪形起伏状的上表面,该上表面具有凸起的波峰部及与波峰部平滑连接的凹陷的波谷部;
步骤3、在OC层的上表面上形成与该上表面形状一致的发射层;
步骤4、在发射层上形成一定厚度H1的缓冲层,该厚度H1等于对应R像素微共振腔的腔长所需的缓冲层厚度;
步骤5、在缓冲层上涂覆光刻胶,并进行曝光、显影形成光阻图形,将B像素对应的光阻图形全部显影掉,将G像素对应的光阻图形显影成Half Tone结构,将R像素对应的光阻图形全部保留;
步骤6、通过干法蚀刻去除没有光阻图形保护的B像素对应的缓冲层,形成对应B像素微共振腔的腔长;
步骤7、通过干蚀刻法烧蚀去除G像素对应的Half Tone结构的光阻图形;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





