[发明专利]OLED显示结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201410284265.9 申请日: 2014-06-23
公开(公告)号: CN104022144B 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 易志根 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: oled 显示 结构 及其 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种全彩化OLED显示结构及其制作方法。

背景技术

在显示技术领域,平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)与有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode,OLED)等平板显示技术已经逐步取代CRT显示器。其中,OLED具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全彩显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

OLED通常包括:基板、置于基板上的ITO透明阳极、置于ITO透明阳极上的空穴注入层(HIL)、置于空穴注入层上的空穴传输层(HTL)、置于空穴传输层上的发光层(EML)、置于发光层上的电子传输层(ETL)、置于电子传输层上的电子注入层(EIL)以及置于电子注入层上的阴极。为了提高效率,发光层通常采用主/客体掺杂系统。目前,OLED的制作方法是将有机材料以真空热蒸镀法成膜于ITO阳极层上,再将金属阴极以热蒸镀或溅镀的方式沉积上去。

OLED全彩化显示是OLED技术的主要发展趋势。现在提出的OLED全彩化显示技术包括RGB像素并置法、色转换法、彩色滤光片法、微共振腔法和多层堆栈法五种。其中,应用微共振腔法实现OLED全彩化显示技术具有发光效率高、色纯度高、适合于大面积生产等优点。利用微共振腔效应,使具有某特定波长的光得到增强,而其它部分的光被削弱。

微共振腔法利用微共振腔的发光特性由其光学长度决定,并与每层材料的厚度、折射率有关。目前应用较多的微共振腔多为平坦型结构,其发光强度和色彩具有较强的方向性,不利于实现宽视角显示。

发明内容

本发明的目的在于提供一种OLED显示结构,能够实现全彩化和宽视角显示。

本发明的另一目的在于提供一种OLED显示结构的制作方法,该方法简便易实现,通过该发法制得的OLED显示结构能够进行全彩化和宽视角显示,且该方法能够简化生产工艺,有助于促进OLED大世代线生产。

为实现上述目的,本发明首先提供一种OLED显示结构,包括:基板、位于基板上的OC层及位于该OC层上的微共振腔;所述OC层远离基板的上表面呈波浪形起伏状,具有凸起的波峰部及与波峰部平滑连接的凹陷的波谷部,所述微共振腔呈与所述OC层的上表面一致的波浪形起伏状,以消除发光强度和色彩具有方向性的问题,实现宽视角显示。

所述微共振腔包括位于所述上表面上的发射层、位于发射层上的缓冲层、位于缓冲层上的电极层、位于电极层上的白光有机层及位于白光有机层上的半反半透层,所述发射层、缓冲层、电极层、白光有机层与半反半透层均呈与所述OC层的上表面一致的波浪形起伏状,以消除发光强度和色彩具有方向性的问题,实现宽视角显示。

所述缓冲层对应R、G、B不同颜色的子像素具有不同的厚度,以调整所述微共振腔的腔长,实现全彩化显示;所述发射层的材质为Ag;所述缓冲层的材质为SiNx;所述电极层的材质为ITO;所述半反半透层的材质为MgAg。

两相邻所述波峰部最高点的距离为8um,所述波峰部最高点与波谷部最低点的距离为1.6~1.8um。

所述缓冲层的折射率等于电极层的折射率。

所述微共振腔对应R、G、B不同颜色子像素的腔长分别为红光、绿光、蓝光半波长的整数倍。

所述白光有机层包括白光空穴注入层、白光空穴传输层、白光发光层、白光电子传输层、及白光电子注入层。

本发明还提供一种OLED显示结构的制作方法,包括如下步骤:

步骤1、提供一基板;

步骤2、在基板上形成OC层,并对OC层进行曝光、显影,使其形成呈波浪形起伏状的上表面,该上表面具有凸起的波峰部及与波峰部平滑连接的凹陷的波谷部;

步骤3、在OC层的上表面上形成与该上表面形状一致的发射层;

步骤4、在发射层上形成一定厚度H1的缓冲层,该厚度H1等于对应R像素微共振腔的腔长所需的缓冲层厚度;

步骤5、在缓冲层上涂覆光刻胶,并进行曝光、显影形成光阻图形,将B像素对应的光阻图形全部显影掉,将G像素对应的光阻图形显影成Half Tone结构,将R像素对应的光阻图形全部保留;

步骤6、通过干法蚀刻去除没有光阻图形保护的B像素对应的缓冲层,形成对应B像素微共振腔的腔长;

步骤7、通过干蚀刻法烧蚀去除G像素对应的Half Tone结构的光阻图形;

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