[发明专利]OLED显示结构及其制作方法

权利要求书

1.一种OLED显示结构，其特征在于，包括：基板(100)、位于基板(100)上的OC层(1)及位于该OC层(1)上的微共振腔(2)；所述OC层(1)远离基板(100)的上表面(11)呈波浪形起伏状，具有凸起的波峰部(111)及与波峰部(111)平滑连接的凹陷的波谷部(113)，所述微共振腔(2)呈与所述OC层(1)的上表面(11)一致的波浪形起伏状，以消除发光强度和色彩具有方向性的问题，实现宽视角显示。

2.如权利要求1所述的OLED显示结构，其特征在于，所述微共振腔(2)包括位于所述上表面(11)上的发射层(21)、位于发射层(21)上的缓冲层(22)、位于缓冲层(22)上的电极层(23)、位于电极层(23)上的白光有机层(24)及位于白光有机层(24)上的半反半透层(25)，所述发射层(21)、缓冲层(22)、电极层(23)、白光有机层(24)与半反半透层(25)均呈与所述OC层(1)的上表面(11)一致的波浪形起伏状，以消除发光强度和色彩具有方向性的问题，实现宽视角显示。

3.如权利要求2所述的OLED显示结构，其特征在于，所述缓冲层(22)对应R、G、B不同颜色的子像素具有不同的厚度，以调整所述微共振腔(2)的腔长，实现全彩化显示；所述发射层(21)的材质为Ag；所述缓冲层(22)的材质为SiNx；所述电极层(23)的材质为ITO；所述半反半透层(25)的材质为MgAg。

4.如权利要求1所述的OLED显示结构，其特征在于，两相邻所述波峰部(111)最高点的距离(L1)为8um，所述波峰部(111)最高点与波谷部(113)最低点的距离(L2)为1.6～1.8um。

5.如权利要求1所述的OLED显示结构，其特征在于，所述缓冲层(22)的折射率等于电极层(23)的折射率。

6.如权利要求1所述的OLED显示结构，其特征在于，所述微共振腔(2)对应R、G、B不同颜色子像素的腔长分别为红光、绿光、蓝光半波长的整数倍。

7.如权利要求1所述的OLED显示结构，其特征在于，所述白光有机层(24)包括白光空穴注入层、白光空穴传输层、白光发光层、白光电子传输层、及白光电子注入层。

8.一种OLED显示结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板(100)；

步骤2、在基板(100)上形成OC层(1)，并对OC层(1)进行曝光、显影，使其形成呈波浪形起伏状的上表面(11)，该上表面(11)具有凸起的波峰部(111)及与波峰部(111)平滑连接的凹陷的波谷部(113)；

步骤3、在OC层(1)的上表面(11)上形成与该上表面(11)形状一致的发射层(21)；

步骤4、在发射层(21)上形成一定厚度H1的缓冲层(22)，该厚度H1等于对应R像素微共振腔的腔长所需的缓冲层厚度；

步骤5、在缓冲层(22)上涂覆光刻胶，并进行曝光、显影形成光阻图形，将B像素对应的光阻图形全部显影掉，将G像素对应的光阻图形显影成Half Tone结构，将R像素对应的光阻图形全部保留；

步骤6、通过干法蚀刻去除没有光阻图形保护的B像素对应的缓冲层(22)，形成对应B像素微共振腔的腔长；

步骤7、通过干蚀刻法烧蚀去除G像素对应的Half Tone结构的光阻图形；

步骤8、通过干法蚀刻G像素对应的没有光阻图形保护的部分缓冲层(22)，使该缓冲层(22)保留至一定厚度H2，该厚度H2等于对应G像素微共振腔的腔长所需的缓冲层厚度；

步骤9、去除R像素对应的光阻图形，露出R像素对应的缓冲层(22)；

步骤10、在阶梯状的缓冲层(22)上形成电极层(23)；

步骤11、在电极层(23)上依次形成白光有机层(24)与半反半透层(25)。

9.如权利要求8所述的OLED显示结构的制作方法，其特征在于，所述步骤4中，缓冲层(22)通过CVD法沉积形成在发射层(21)上；所述发射层(21)的材质为Ag；所述缓冲层(22)的材质为SiNx；所述电极层(23)的材质为ITO；所述半反半透层(25)的材质为MgAg；所述白光有机层(24)包括白光空穴注入层、白光空穴传输层、白光发光层、白光电子传输层、白光电子注入层；所述缓冲层(22)的折射率等于电极层(23)的折射率。

10.如权利要求8所述的OLED显示结构的制作方法，其特征在于，所述步骤2中两相邻波峰部(111)最高点的距离L1为8um，所述波峰部(111)最高点与波谷部(113)最低点的距离L2为1.6～1.8um；所述对应R像素微共振腔的腔长、对应B像素微共振腔的腔长与对应G像素微共振腔的腔长分别为红光、蓝光、绿光半波长的整数倍。