[发明专利]浸没式光刻工艺方法

权利要求书

1.一种浸没式光刻工艺方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在半导体衬底的上表面和侧面涂布底部抗反射层；

利用干法刻蚀工艺，去除位于所述侧面的底部抗反射层；

在保留于半导体衬底上表面上的底部抗反射层上依次形成光刻胶层和顶部涂层。

2.如权利要求1所述的浸没式光刻工艺方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺利用氧气和氮气作为刻蚀气体。

3.如权利要求2所述的浸没式光刻工艺方法，其特征在于，通过调节所述干法刻蚀工艺的气体比例、工艺时间，以调节保留于半导体衬底的上表面的底部抗反射层的边缘的形貌和尺寸。

4.如权利要求1所述的浸没式光刻工艺方法，其特征在于，所述光刻胶层和顶部涂层制作方法包括：

光刻胶层涂布工艺，用于在所述保留于半导体衬底上表面的底部抗反射层上涂布光刻胶层；

进行光刻胶层清洗工艺，去除位于半导体衬底边缘的多余光刻胶层、以及去除位于半导体衬底表面的部分光刻胶层，露出部分底部抗反射层；

形成顶部涂层，所述顶部涂层覆盖所述光刻胶层和部分所述露出的部分底部抗反射层的表面；

对所述顶部涂层、光刻胶层进行曝光和显影工艺。