[发明专利]具有穿通接触部的ASIC构件

说明书

本发明涉及一种用于ASIC构件中的穿通接触部的实现方案，所述ASIC构件能够简单地集成在ASIC衬底的CMOS工艺中。所述ASIC构件(120)具有有效的前侧，在所述有效的前侧中实现电路功能(20)。所述至少一个穿通接触部(15)应建立所述有效的前侧与所述构件背侧之间的电连接。根据本发明，在前侧通过至少一个完全填充的前侧沟槽(151)限定所述穿通接触部(15)，而在背侧通过至少一个没有完全填充的背侧沟槽(154)限定所述穿通接触部。所述背侧沟槽(154)通到经填充的前侧沟槽(151)中。

技术领域

本发明一般性地涉及一种具有有效的前侧的ASIC(专用集成电路)构件和至少一个穿通接触部(Durchkontakt)，在所述前侧中实现电路功能，所述穿通接触部建立有效的前侧与构件背侧之间的电连接。

背景技术

在垂直混合集成部件的范畴内，具有穿通接触部的ASIC构件的使用特别重要。这种部件通常包括多个不同的构件，它们以芯片叠堆的形式相互重叠地装配。有利地，一个部件的多个构件的不同功能性大多相互补充地进行应用。经常借助穿通接触部实现垂直混合集成部件的各个构件之间的电连接及其外部接通，这不仅由于微型化而且在二级装配时是有利的。在垂直混合集成部件中拼装的构件不仅可以涉及具有微机械功能性的MEMS(微机电系统)构件而且可以涉及具有纯电路技术功能性的ASIC构件。此外，在垂直混合集成部件的范畴内，ASIC构件也经常用于MEMS构件的微机械结构的加盖。例如，具有微机械传感器构件和ASIC构件的垂直混合集成惯性传感器部件是已知的，在所述ASIC构件上集成有用于传感器信号的分析处理电路。在所述惯性传感器部件中，ASIC构件装配在MEMS构件的传感器结构上方并且相对环境干扰封闭所述传感器结构。由实际已知一系列用于ASIC构件中的穿通接触部的实现方案，这些实现方案也适合垂直混合集成部件的构造并且尤其也适合所谓的晶片级封装，在所述晶片级封装中各个构件在晶片复合体中装配并且随后才作为封装分割。

根据一种已知的方式，在ASIC衬底工艺的范畴中施加穿通接触部，更确切地，作为ASIC衬底中的盲口。然后以金属——例如以铜或钨或者以金属层和介质完全填充所述盲口，从而ASIC衬底的表面对于进一步处理是尽可能封闭和平坦的。在ASIC衬底装配在另一衬底上之后才在背侧暴露并且接通所述形式的穿通接触部，其方式例如是，对ASIC衬底进行背侧减薄。在所述实现方式中，通过盲口或者过孔(Via)的完全填充来相对外部影响保护穿通接触部的金属内核或者金属印制导线。

因为这种过孔通常具有大的纵横比，所以不仅用于在ASIC衬底中产生相应的开口的结构化方法而且所述填充是相对费事的。

发明内容

借助本发明提出一种用于ASIC构件中的穿通接触部的明显简化制造工艺的实现方案。

根据本发明，在前侧通过至少一个完全填充的前侧沟槽(Trench)限定穿通接触部，而在背侧通过至少一个没有完全填充的背侧沟槽限定穿通接触部。背侧沟槽通到经填充的前侧沟槽中。

因此，ASIC衬底中的穿通接触部在此是前侧处理与背侧处理的组合的结果。在两侧对ASIC衬底进行结构化，以便跨接衬底厚度。因此，不仅前侧沟槽的纵横比而且背侧沟槽的纵横比小于衬底中单侧产生的穿通接触部。因为仅仅填充前侧沟槽，所以填充开销在此也是相对较低的。根据本发明的实现方案的特别优点是，至少前侧处理能够非常好地集成在ASIC衬底的CMOS工艺中。即可以如底部沟槽绝缘(Bottom Trench Isolation)那样简单地实施前侧处理，所述底部沟槽绝缘通常用于与ASIC衬底中的各个电路部件的电绝缘。

原则上能够通过不同的方式方法实现用于ASIC衬底中的穿通接触部的根据本发明的实现方案，尤其这涉及穿通接触部借助沟槽的限定。