[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：

(a)提供半导体芯片和布线衬底，所述半导体芯片包括由Cu构成的电极，所述布线衬底包括由Cu构成的电极；

(b)经由焊料将所述半导体芯片安装在所述布线衬底上，所述焊料中焊料粉末与粒子混合，所述焊料被供给至所述半导体芯片的电极与所述布线衬底的电极之间，所述焊料粉末分别由合金形成，所述合金基本上由Sn和In组成，所述粒子分别由非合金形成，所述非合金基本上由Ni组成；以及

(c)加热所述焊料，从而在所述焊料中形成Sn-Cu-Ni化合物，该Sn-Cu-Ni化合物具有一个所述粒子作为核。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述Sn-Cu-Ni化合物与所述半导体芯片的电极和所述布线衬底的电极中的一个接触。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述Sn-Cu-Ni化合物与所述半导体芯片的电极和所述布线衬底的电极两者接触。

4.根据权利要求1所述的制造方法，

其中所述布线衬底具有上表面和正对所述上表面的下表面；

其中在步骤(b)中，所述半导体芯片安装在所述布线衬底的所述上表面上；

其中多个焊锡球形成在所述布线衬底的所述下表面上；以及

其中所述Sn-Cu-Ni化合物的熔点高于各所述焊锡球的熔点。