[发明专利]一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺

权利要求书

1.一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于：包括制备水氧阻隔层工序，所述水氧阻隔层由一组或一组以上的水氧阻隔单元叠设而成；

每组水氧阻隔单元包括一层有机阻隔层和一层无机阻隔层，所述有机阻隔层表面具有凹凸不平的形貌结构，所述无机阻隔层设置于所述有机阻隔层表面。

2.根据权利要求1所述的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于：所述水氧阻隔层由两组的水氧阻隔单元叠设而成。

3.根据权利要求1所述的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于：所述有机薄膜表面凹凸不平的形貌结构为规则的图案或者不规则的图案。

4.根据权利要求3所述的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于：所述有机阻隔层通过光刻的方式或者通过物理压印的方式形成表面凹凸不平的形貌结构。

5.根据权利要求4所述的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于：所述有机阻隔层表面凹凸不平的形貌结构为矩形结构或者为锯齿形结构或者为弧形结构，所述有机阻隔层的材料为光刻胶，所述有机阻隔层通过旋涂法或者丝网印刷法或者真空热蒸发法或者化学气相沉积法制备而成，所述有机阻隔层的厚度为200 nm至10000 nm。

6.根据权利要求3所述的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于：将光刻胶中掺杂无机物颗粒作为原料制备有机阻隔层，有机阻隔层表面具有因部分无机物颗粒而鼓气的凸起。

7.根据权利要求3所述的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于：所述光刻胶中掺杂的无机物颗粒的粒径为0.01至10um，无机物颗粒的掺入量为0.01g/mL至5g/mL。

8.根据权利要求7所述的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于：所述光刻胶中掺杂的无机物颗粒的粒径为2至5um，无机物颗粒的掺入量为0.2g/mL。

9.根据权利要求8所述的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于：所述无机阻隔层的材料为Al₂O₃或者Si₃N₄或者SiO₂或者TiO₂或者ZrO₂中的任意一种或一种以上的混合物，所述无机阻隔层通过薄膜沉积法或者原子层沉积法或者化学气相沉积法或者物理气相沉积法制备而成，所述无机阻隔层的厚度为10 nm至1000 nm。

10.根据权利要求1至9任意一项所述的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于：还设置有基础层制备工序，即在待封装的柔性半导体薄膜电子器件表面制备基础层，所述水氧阻隔层制备于所述基础层上。