[发明专利]下电极装置和薄膜沉积设备

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种下电极装置和薄膜沉积设备。

背景技术

在半导体制造的过程中，通常需要在基片上进行薄膜沉积，在薄膜沉积工艺中，为了保证成膜厚度、薄膜的折射率等参数达到要求，对于基片表面的温度以及基片表面的温度均匀性的控制要求严格。

然而，现有的薄膜沉积设备对于基片表面温度的检测精度较差。例如，如图1所示，等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)设备包括真空腔室1，真空腔室1中设置有上电极装置2和下电极装置3，其中下电极装置包括用于放置基片的装片台31和加热器32，装片台31的正面用于放置基片，加热器32设置于装片台31的背面，加热器32内部设置有加热丝和热电偶，加热丝的热量通过加热器32和装片台31传导至基片，对基片进行加热，热电偶用于检测温度。然而，由于热电偶检测到的是加热器32内部的温度，对于基片表面温度测量的精度较差。

发明内容

本发明提供一种下电极装置和薄膜沉积设备，能够更加精确地测量基片表面的温度。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一方面，提供了一种下电极装置，包括装片台，

所述装片台内部设置有通道，所述通道中设置有热电偶，所述热电偶在所述通道内延伸至所述装片台内部的测试点。

具体地，所述通道为多条；

所述多条通道分别通向所述装片台内部的多个测试点；

每条通道中均设置有一个所述热电偶。

具体地，每个所述测试点与所述装片台中心处之间的距离不同。

具体地，上述下电极装置，还包括：

位于所述装片台背面一侧的加热器；

所述加热器中设置有多个热电偶连接器，所述多个热电偶连接器从所述加热器靠近所述装片台的一侧贯穿至远离所述装片台的一侧；

所述多条通道的通道口位于所述装片台的背面；

所述多条通道分别设有连通至所述装片台背面的通道口，每个热电偶还包括延伸至所述通道口的热电偶连接端，所述多个热电偶连接端分别连接于所述多个热电偶连接器。

具体地，所述多条通道在所述装片台背面具有同一个通道口；

所述通道口处设置有第一固定件，所述通道口处的多个热电偶连接端穿过所述第一固定件并被所述第一固定件固定；

所述加热器靠近所述装片台一侧的表面设置有出线口，所述多个热电偶连接器从所述出线口处延伸至所述加热器远离所述装片台的一侧；

所述出线口处设置有第二固定件，所述出线口处的多个热电偶连接器穿过所述第二固定件并被所述第二固定件固定；

所述出线口与所述通道口相对，所述通道口处多个热电偶连接端分别与所述出线口处的多个热电偶连接器相对设置。

具体地，所述装片台的背面设置有定位销；

所述加热器靠近所述装片台一侧的表面设置有与所述定位销对应的定位孔。

具体地，所述定位销位于所述第一固定件的中心处；

所述定位孔位于所述第二固定件的中心处。

具体地，所述第二固定件将所述出线口密封。

另一方面，提供一种薄膜沉积设备，包括腔室以及设置于所述腔室中的上电极装置和下电极装置，所述下电极装置为上述的下电极装置。

具体地，所述薄膜沉积设备为等离子体增强化学气相沉积PECVD设备。

本发明提供的下电极装置和薄膜沉积设备，通过在装片台的内部设置热电偶，使得可以直接测量装片台的温度，从而能够更加精确地测量装片台上基片表面的温度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中一种PECVD设备的结构示意图；

图2为本发明实施例中一种装片台的仰视图；

图3为图2中装片台AA向的截面示意图；

图4为图3中装片台B处的局部放大示意图；

图5为本发明实施例中一种薄膜沉积设备的结构示意图；

图6为图2中装片台的俯视图；

图7为本发明实施例中一种下电极装置的结构示意图；

图8为图7中下电极装置C处的局部放大示意图。