[发明专利]下电极装置和薄膜沉积设备在审

专利信息
申请号: 201410253075.0 申请日: 2014-06-09
公开(公告)号: CN105132885A 公开(公告)日: 2015-12-09
发明(设计)人: 王福来 申请(专利权)人: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100026 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 电极 装置 薄膜 沉积 设备
【权利要求书】:

1.一种下电极装置,包括装片台,其特征在于,

所述装片台内部设置有通道,所述通道中设置有热电偶,所述热电偶在所述通道内延伸至所述装片台内部的测试点。

2.根据权利要求1所述的下电极装置,其特征在于,

所述通道为多条;

所述多条通道分别通向所述装片台内部的多个测试点;

每条通道中均设置有一个所述热电偶。

3.根据权利要求2所述的下电极装置,其特征在于,

每个所述测试点与所述装片台中心处之间的距离不同。

4.根据权利要求2所述的下电极装置,其特征在于,还包括:

位于所述装片台背面一侧的加热器;

所述加热器中设置有多个热电偶连接器,所述多个热电偶连接器从所述加热器靠近所述装片台的一侧贯穿至远离所述装片台的一侧;

所述多条通道分别设有连通至所述装片台背面的通道口,每个热电偶还包括延伸至所述通道口的热电偶连接端,所述多个热电偶连接端分别连接于所述多个热电偶连接器。

5.根据权利要求4所述的下电极装置,其特征在于,

所述多条通道在所述装片台背面具有同一个通道口;

所述通道口处设置有第一固定件,所述通道口处的多个热电偶连接端穿过所述第一固定件并被所述第一固定件固定;

所述加热器靠近所述装片台一侧的表面设置有出线口,所述多个热电偶连接器从所述出线口处延伸至所述加热器远离所述装片台的一侧;

所述出线口处设置有第二固定件,所述出线口处的多个热电偶连接器穿过所述第二固定件并被所述第二固定件固定;

所述出线口与所述通道口相对,所述通道口处多个热电偶连接端分别与所述出线口处的多个热电偶连接器相对设置。

6.根据权利要求5所述的下电极装置,其特征在于,

所述装片台的背面设置有定位销;

所述加热器靠近所述装片台一侧的表面设置有与所述定位销对应的定位孔。

7.根据权利要求6所述的下电极装置,其特征在于,

所述定位销位于所述第一固定件的中心处;

所述定位孔位于所述第二固定件的中心处。

8.根据权利要求5所述的下电极装置,其特征在于,

所述第二固定件将所述出线口密封。

9.一种薄膜沉积设备,包括腔室以及设置于所述腔室中的上电极装置和下电极装置,其特征在于,

所述下电极装置为权利要求1至8中任意一项所述的下电极装置。

10.根据权利要求9所述的薄膜沉积设备,其特征在于,

所述薄膜沉积设备为等离子体增强化学气相沉积PECVD设备。

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