[发明专利]下电极装置和薄膜沉积设备在审
申请号: | 201410253075.0 | 申请日: | 2014-06-09 |
公开(公告)号: | CN105132885A | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 王福来 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100026 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 装置 薄膜 沉积 设备 | ||
1.一种下电极装置,包括装片台,其特征在于,
所述装片台内部设置有通道,所述通道中设置有热电偶,所述热电偶在所述通道内延伸至所述装片台内部的测试点。
2.根据权利要求1所述的下电极装置,其特征在于,
所述通道为多条;
所述多条通道分别通向所述装片台内部的多个测试点;
每条通道中均设置有一个所述热电偶。
3.根据权利要求2所述的下电极装置,其特征在于,
每个所述测试点与所述装片台中心处之间的距离不同。
4.根据权利要求2所述的下电极装置,其特征在于,还包括:
位于所述装片台背面一侧的加热器;
所述加热器中设置有多个热电偶连接器,所述多个热电偶连接器从所述加热器靠近所述装片台的一侧贯穿至远离所述装片台的一侧;
所述多条通道分别设有连通至所述装片台背面的通道口,每个热电偶还包括延伸至所述通道口的热电偶连接端,所述多个热电偶连接端分别连接于所述多个热电偶连接器。
5.根据权利要求4所述的下电极装置,其特征在于,
所述多条通道在所述装片台背面具有同一个通道口;
所述通道口处设置有第一固定件,所述通道口处的多个热电偶连接端穿过所述第一固定件并被所述第一固定件固定;
所述加热器靠近所述装片台一侧的表面设置有出线口,所述多个热电偶连接器从所述出线口处延伸至所述加热器远离所述装片台的一侧;
所述出线口处设置有第二固定件,所述出线口处的多个热电偶连接器穿过所述第二固定件并被所述第二固定件固定;
所述出线口与所述通道口相对,所述通道口处多个热电偶连接端分别与所述出线口处的多个热电偶连接器相对设置。
6.根据权利要求5所述的下电极装置,其特征在于,
所述装片台的背面设置有定位销;
所述加热器靠近所述装片台一侧的表面设置有与所述定位销对应的定位孔。
7.根据权利要求6所述的下电极装置,其特征在于,
所述定位销位于所述第一固定件的中心处;
所述定位孔位于所述第二固定件的中心处。
8.根据权利要求5所述的下电极装置,其特征在于,
所述第二固定件将所述出线口密封。
9.一种薄膜沉积设备,包括腔室以及设置于所述腔室中的上电极装置和下电极装置,其特征在于,
所述下电极装置为权利要求1至8中任意一项所述的下电极装置。
10.根据权利要求9所述的薄膜沉积设备,其特征在于,
所述薄膜沉积设备为等离子体增强化学气相沉积PECVD设备。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410253075.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种用于泥页岩测试的三轴夹持器
- 下一篇:一种轮毂铸造机顶杆连接结构
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的