[发明专利]一种阵列基板的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术的制备领域，尤其涉及一种阵列基板的制备方法。

背景技术

阵列基板是薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)的主要组成之一。

现有技术中，在通过刻蚀工艺形成位于有源层之上的源极、漏极、以及二者之间的间隙时，为了降低有源层整体受到刻蚀液体或者刻蚀气体影响的程度，有源层的厚度通常制备的较厚，可达从而保证有源层即使受到过度刻蚀，对其电性能也不会产生较大影响，稳定有源层以及TFT开关的特性；然而，有源层厚度的增加会导致TFT的关态电流增加，这就使得当阵列基板应用于显示装置时，原本应该显示下一帧画面时，由于TFT的关态电流较大，导致用于显示上一帧画面的电流仍残存，使显示画面的残像较大，影响显示品质；同时，制备厚度较大的有源层，对制备工艺的难度要求更为严格，导致制备周期更长。

因此，目前行业内普遍采用的阵列基板中的TFT结构为具有刻蚀阻挡层的TFT，即在有源层之上、且与源极和漏极之间的间隙对应处设置一层结构致密、绝缘性良好的氮化硅(SiN_x)或氧化硅(SiO₂)薄膜，从而避免形成源极、漏极、以及二者之间的间隙时对有源层的性能产生破坏；同时，由于刻蚀阻挡层的存在，无需额外增加有源层的厚度，有源层的厚度可减薄至相比无刻蚀阻挡层时的厚度明显减小，从而使得TFT的关态电流较小，应用于显示装置时的画面残像较小，保证了显示装置的良好显示品质。

然而，由于在有源层之上增加了制备刻蚀阻挡层的工艺，使得制备具有刻蚀阻挡层的底栅型阵列基板至少需要采用五次构图工艺，具体包括形成包括栅极、栅线的图案层、形成栅绝缘层、形成有源层、形成刻蚀阻挡层、形成包括源极、漏极、以及数据线的图案层、形成像素电极的工艺过程；而每一次构图工艺均包括成膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺。显然，构图工艺的次数越多，生产设备的投入成本就越高，生产周期也更长。

因此，如何减少制备具有刻蚀阻挡层的阵列基板的构图工艺次数，是本领域技术人员亟需解决的重要技术问题。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板的制备方法，可减少制备具有刻蚀阻挡层的阵列基板的构图工艺次数，提高生产效率，降低成本。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，该方法包括，在衬底基板上通过第一次构图工艺形成包括栅极、栅线、公共电极线的图案层；在形成有包括所述栅极、所述栅线、所述公共电极线的图案层的基板上，通过第二次构图工艺形成栅绝缘层、有源层薄膜、以及刻蚀阻挡层；其中，所述刻蚀阻挡层与待形成的源极和漏极之间的间隙对应；在所述公共电极线上方形成露出所述公共电极线的过孔；在形成有包括所述栅绝缘层、所述有源层薄膜、以及所述刻蚀阻挡层的基板上，通过第三次构图工艺至少形成有源层、包括源极、漏极、数据线的图案层、以及保护层；其中，所述保护层露出所述漏极的一部分；在形成有至少包括所述有源层、包括所述源极、所述漏极、所述数据线的图案层、以及所述保护层的基板上，通过第四次构图工艺至少形成像素电极；其中，所述像素电极与所述漏极电连接。

优选的，所述在形成有包括所述栅极、所述栅线、所述公共电极线的图案层的基板上，通过第二次构图工艺形成栅绝缘层、有源层薄膜、以及刻蚀阻挡层；其中，所述刻蚀阻挡层与待形成的源极和漏极之间的间隙对应；在所述公共电极线上方形成露出所述公共电极线的过孔，具体包括：

在形成有包括所述栅极、所述栅线、所述公共电极线的图案层的基板上，依次形成栅绝缘层、有源层薄膜、以及刻蚀阻挡层薄膜，并在所述刻蚀阻挡层薄膜之上形成光刻胶层；采用第一半色调掩模板或第一灰色调掩模板对形成有所述光刻胶层的基板进行曝光、显影后，形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全保留部分对应待形成的所述刻蚀阻挡层的区域，所述光刻胶半保留部分对应其他区域，所述光刻胶完全去除部分对应待形成的所述过孔的区域；采用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除部分露出的所述刻蚀阻挡层薄膜、所述有源层薄膜、以及所述栅绝缘层，形成所述过孔；采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶，露出所述刻蚀阻挡层薄膜；采用刻蚀工艺去除露出的所述刻蚀阻挡层薄膜，形成所述刻蚀阻挡层；采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶。