[发明专利]一种阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括，

在衬底基板上通过第一次构图工艺形成包括栅极、栅线、公共电极线的图案层；

在形成有包括所述栅极、所述栅线、所述公共电极线的图案层的基板上，通过第二次构图工艺形成栅绝缘层、有源层薄膜、以及刻蚀阻挡层；其中，所述刻蚀阻挡层与待形成的源极和漏极之间的间隙对应；在所述公共电极线上方形成露出所述公共电极线的过孔；

在形成有包括所述栅绝缘层、所述有源层薄膜、以及所述刻蚀阻挡层的基板上，通过第三次构图工艺至少形成有源层、包括源极、漏极、数据线的图案层、以及保护层；其中，所述保护层露出所述漏极的一部分；

在形成有至少包括所述有源层、包括所述源极、所述漏极、所述数据线的图案层、以及所述保护层的基板上，通过第四次构图工艺至少形成像素电极；其中，所述像素电极与所述漏极电连接。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在形成有包括所述栅极、所述栅线、所述公共电极线的图案层的基板上，通过第二次构图工艺形成栅绝缘层、有源层薄膜、以及刻蚀阻挡层；其中，所述刻蚀阻挡层与待形成的源极和漏极之间的间隙对应；在所述公共电极线上方形成露出所述公共电极线的过孔，具体包括，

在形成有包括所述栅极、所述栅线、所述公共电极线的图案层的基板上，依次形成栅绝缘层、有源层薄膜、以及刻蚀阻挡层薄膜，并在所述刻蚀阻挡层薄膜之上形成光刻胶层；

采用第一半色调掩模板或第一灰色调掩模板对形成有所述光刻胶层的基板进行曝光、显影后，形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全保留部分对应待形成的所述刻蚀阻挡层的区域，所述光刻胶半保留部分对应其他区域，所述光刻胶完全去除部分对应待形成的所述过孔的区域；

采用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除部分露出的所述刻蚀阻挡层薄膜、所述有源层薄膜、以及所述栅绝缘层，形成所述过孔；

采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶，露出所述刻蚀阻挡层薄膜；

采用刻蚀工艺去除露出的所述刻蚀阻挡层薄膜，形成所述刻蚀阻挡层；

采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有源层薄膜包括非晶硅有源层薄膜；

所述在形成有包括所述栅绝缘层、所述有源层薄膜、所述刻蚀阻挡层的基板上，通过第三次构图工艺至少形成有源层、包括源极、漏极、数据线的图案层、以及保护层；其中，所述保护层露出所述漏极的一部分，包括，

在形成有包括所述栅绝缘层、所述非晶硅有源层薄膜、以及所述刻蚀阻挡层的基板上，通过第三次构图工艺形成非晶硅有源层、欧姆接触层、包括源极、漏极、数据线的图案层、以及保护层；

其中，所述保护层露出所述漏极的一部分；所述欧姆接触层至少与所述源极、所述漏极、以及所述非晶硅有源层相接触。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，形成的所述欧姆接触层还与所述刻蚀阻挡层相接触。