[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；

形成覆盖部分第一区域的第一伪栅极和覆盖部分第二区域的器件层，所述第一伪栅极顶部表面和器件层顶部表面齐平；

在半导体衬底表面形成介质层，所述介质层覆盖第一伪栅极和器件层的侧壁，并且所述介质层表面与第一伪栅极顶部表面、器件层顶部表面齐平；

去除所述第一伪栅极，形成第一凹槽；

在所述第一凹槽内壁、介质层和器件层上形成填充满所述第一凹槽的第一金属层；

采用化学机械研磨工艺，对所述第一金属层进行第一平坦化处理，去除位于介质层和器件层上的第一金属层，在所述第一凹槽内形成第一栅极，所述第一平坦化处理采用的研磨液内具有保护剂，所述保护剂在平坦化过程中在所述器件层的表面形成保护层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护剂与器件层材料发生反应，形成所述保护层。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为

4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护剂的浓度为10ppm～100ppm。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述研磨液内的保护剂为O₃。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述器件层的材料为多晶硅。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化物层。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化硅。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底还包括第三区域；形成覆盖部分第三区域的第二伪栅极，所述第二伪栅极与第一伪栅极分立，且所述第二伪栅极顶部表面与第一伪栅极顶部表面齐平。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在进行第一平坦化处理的过程中，所述保护剂在第二伪栅极顶部表面也形成保护层。

11.根据权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一栅极之后，去除所述第二伪栅极，形成第二凹槽；在所述第二凹槽内壁、介质层、保护层和第一栅极上形成填充满所述第二凹槽的第二金属层；采用化学机械研磨工艺，对所述第二金属层进行第二平坦化处理，去除位于介质层、保护层和第一栅极上的第二金属层，在所述第二凹槽内形成第二栅极。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二平坦化处理采用的研磨液内具有保护剂。

13.根据权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护剂的浓度为10ppm～100ppm。

14.根据权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护剂为O₃。

15.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一伪栅极与半导体衬底表面之间具有第一栅介质层，所述第一栅介质层的材料为氧化铪、氧化锆、氧化铝、硅氧化铪或硅氧化锆。

16.根据权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二伪栅极与半导体衬底表面之间具有第二栅介质层，所述第二栅介质层的材料为氧化铪、氧化锆、氧化铝、硅氧化铪或硅氧化锆。