[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201410225112.7 | 申请日： | 2014-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN105448682A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 曾以志;赵杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的制备方法，包括：
提供基底，在所述基底上形成有虚拟栅极、位于所述虚拟栅极侧壁上的间隙壁层和/或接触孔蚀刻停止层以及覆盖所述间隙壁层和/或接触孔蚀刻停止层的层间介电层；
平坦化所述层间介电层至所述虚拟栅极；
回蚀刻所述间隙壁层和/或接触孔蚀刻停止层；
去除所述虚拟栅极，然后形成金属栅极；
平坦化所述金属栅极至所述间隙壁层和/或接触孔蚀刻停止层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，回蚀刻所述间隙壁层和/或接触孔蚀刻停止层的量小于平坦化所述层间介电层过程中形成的凹陷的量。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述层间介质层为氧化物。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述间隙壁层和/或接触孔蚀刻停止层为氮化物。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属栅极包括高K介电层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述虚拟栅极选用多晶硅。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成金属栅极的方法包括：
去除所述虚拟栅极，以形成沟槽；
在所述沟槽中沉积金属栅极叠层，以形成所述金属栅极。
8.一种基于权利要求1至7之一所述的方法制备得到的半导体器件。
9.一种电子装置，包括权利要求8所述的半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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