[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410222435.0 | 申请日： | 2014-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN105097500B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 邓浩;严琰;肖莉红 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 高伟;罗巍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上包括多个间隙或者沟槽；
在所述半导体衬底的表面形成衬垫层，所述衬垫层覆盖所述半导体衬底的表面以及所述间隙或者沟槽的侧壁和底部；
采用水蒸气等离子体处理所述衬垫层，以形成富羟基衬垫层，从而增加后续形成的可流动的层间介电层的流动性；
在所述富羟基衬垫层之上形成可流动的层间介电层，以填充所述沟槽或者所述间隙；
采用去离子水对所述层间介电层进行清洗浸泡后，执行蒸气退火处理的步骤。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用流动式化学气相沉积法形成所述可流动的层间介电层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用水蒸气等离子体处理所述衬垫层的工艺参数包括：水蒸气的使用量为500mg/min～3000mg/min,氦气的流量范围为500sccm～1500sccm，处理温度范围为350～450℃，射频功率范围为500w～1500w。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬垫层为氧化物衬垫层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述层间介电层的材料包括氧化硅。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法适用于FinFET器件的制作。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述可流动的层间介电层之后还包括进行固化处理的步骤。
8.一种采用权利要求1-7之一所述的方法制造的半导体器件。
9.一种电子装置，所述电子装置包括权利要求8所述的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
