[发明专利]图像传感器结构及其封装方法有效
| 申请号: | 201410217743.4 | 申请日: | 2014-05-20 |
| 公开(公告)号: | CN103996684B | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
| 发明(设计)人: | 邓辉;赵立新 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/34;H01L21/768;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 郑立柱 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图像传感器 结构 及其 封装 方法 | ||
1.一种图像传感器的封装方法,其特征在于,包括:
提供图像传感器芯片和透明的封装基板,所述图像传感器芯片的正面有图像感应区和环绕所述图像感应区的焊盘区域;
键合金属导线的第一端于所述焊盘,所述金属导线的第二端悬空于所述图像传感器芯片;
匹配粘合所述封装基板、所述图像传感器芯片为一封装件,所述金属导线的第二端悬空,不被粘合覆盖。
2.根据权利要求1所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,还包括:所述悬空的金属导线能够通过SMT或压焊方式电性连接印刷电路板、柔性电路板或陶瓷电路板。
3.根据权利要求1所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,还包括:粘合覆盖所述焊盘区域、金属导线第一端的周边区域。
4.根据权利要求1所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,还包括:提供封装框架,所述封装框架匹配粘合于所述封装基板、图像传感器芯片。
5.根据权利要求4所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,还包括:于所述封装框架上打上标识。
6.根据权利要求4所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,所述封装框架包括:内框架与外框架,所述内框架与外框架之间设置有贯穿的空隙区域。
7.根据权利要求6所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,还包括:由所述内框架与外框架之间的所述空隙区域填入粘性材质。
8.根据权利要求4所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,所述封装框架位于所述封装基板与所述图像传感器芯片的中间,所述封装框架将所述图像感应区与焊盘区域隔离。
9.根据权利要求4所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,所述封装框架邻近封装基板具有第二端,所述第二端沿竖直方向突出于封装基板10微米以上。
10.根据权利要求4所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,所述封装框架邻近封装基板有第二端,所述第二端的内表面设置有通气槽或胶水扩展槽。
11.根据权利要求4所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,所述封装框架邻近图像传感器芯片有第三端,所述第三端沿竖直方向突出于所述图像传感器芯片焊盘面的10微米以上。
12.根据权利要求7所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,所述封装框架邻近图像传感器芯片有第三端,所述第三端具有倾斜于所述外框架结构内表面的斜面,所述斜面的位置对应于所述空隙区域,所述斜面防止所述粘性材质溢出。
13.根据权利要求1所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,还包括:采用定型治具定型所述金属导线。
14.根据权利要求4所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,所述封装基板与所述图像传感器芯片之间的距离大于等于40微米。
15.根据权利要求4所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,所述封装框架对应于所述封装基板、所述图像传感器芯片的四个角区域具有保护区域,所述保护区域于所述封装框架与所述封装基板之间、所述封装框架与所述图像传感器芯片之间预留空间。
16.根据权利要求7所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,通过点胶方式、画胶方式、灌胶方式、丝印方式中的一种或多种填入所述粘性材质。
17.根据权利要求1所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,所述封装基板为玻璃材质、塑料材质或蓝宝石材质。
18.根据权利要求1所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,还包括:所述封装基板的单面分别镀上红外滤光膜、光学增透膜或双面分别镀上红外滤光膜和光学增透膜。
19.根据权利要求2所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,还包括:于所述图像传感器芯片的反面形成有粘性可变的粘接材质,用于固定所述封装件于所述印刷电路板、所述柔性电路板或所述陶瓷电路板。
20.根据权利要求19所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,所述粘性可变的粘接材质为热熔胶。
21.根据权利要求1所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,所述金属导线为金线、铜线、铝线、银线或合金线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





