[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

随着薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD Display)技术的发展和进步，液晶显示器装置已经取代了阴极射线管显示装置成为了日常显示领域的主流显示装置。

目前，为了不断提高液晶显示装置显示图像的质量，其分辨率在不断地提高，力求为消费者提供更为清晰逼真的显示画面。分辨率定义为液晶显示装置中每英寸面积内的像素的数量，这样一来，分辨率越高则液晶显示装置中像素区域的尺寸就越小，相应地，如图1所示，相邻的两个像素单元区域中的像素电极4之间的间距也越来越小，当给像素电极4通入一定的工作电压时，将导致相邻的两个像素电极4之间的电场发生干扰(如图中箭头所示)，从而影响显示画面的质量。

例如，如图2所示，当仅要求某一像素单元区域(标记为a)对应的液晶分子12偏转而与该像素单元区域相邻的另一个像素单元区域(标记为b)对应液晶分子12不发生偏转时，由于像素单元区域a与像素单元区域b之间的间隔很小，使得相邻的两个像素电极4之间的电场发生干扰，导致相邻的像素单元区域a与像素单元区域b之间的液晶分子12、以及像素单元区域b靠近像素单元区域a的边缘处对应的液晶分子12发生偏转，从而如图3所示，使液晶显示装置中相邻的像素单元区域产生混色、漏光等现象，影响了液晶显示装置的显示的效果。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，当该阵列基板应用于显示装置时，可减少相邻的两个像素电极之间电场的干扰，降低相邻的两个像素单元区域之间的混色、漏光现象，提高显示装置的显示效果。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

本发明的第一方面提供了一种阵列基板，包括：衬底基板、设置于所述衬底基板上的信号线，所述信号线两侧设置有像素电极，所述衬底基板形成有与全部或部分所述信号线位置对应的突起。

所述突起与所有奇数行或所有偶数行的信号线位置对应。

所述信号线包括数据线和/或栅线。

所述突起的高度为1～2微米，所述突起的宽度大于或等于所述信号线的宽度。

所述突起的宽度为3～6微米。

在本发明实施例的技术方案中，由于所述衬底基板形成有与全部或部分所述信号线位置对应的突起，并且所述信号线两侧设置有像素电极，显然，突起导致两像素电极之间的高度较大，大于像素电极的高度，使得像素电极不易形成电场，该突起可以减少相邻的两个像素电极之间电场的干扰，降低相邻的两个像素单元区域之间的混色、漏光现象，提高显示装置的显示效果。

本发明的第二方面提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板，还包括与所述阵列基板配合的对盒基板。

本发明的第三方面提供了一种阵列基板的制造方法，包括：

对衬底基板进行刻蚀，形成与全部或部分信号线位置对应的突起；

在所述衬底基板上形成所述信号线和位于所述信号线两侧的像素电极。

所述突起与所有奇数行或所有偶数行的信号线位置对应。

所述突起的高度为1～2微米，所述突起的宽度为3～6微米。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中的阵列基板的结构示意图；

图2为现有技术中的阵列基板驱动液晶分子的偏转示意图；

图3为现有技术中的阵列基板漏光性测试结果示意图；

图4为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图一；

图5为本发明实施例中的阵列基板驱动液晶分子的偏转示意图；

图6为本发明实施例中的阵列基板漏光性测试结果示意图；

图7为本发明实施例中的阵列基板的平面示意图一；

图8为本发明实施例中的阵列基板的平面示意图二；

图9为本发明实施例中的阵列基板的平面示意图三；

图10为本发明实施例中的阵列基板的平面示意图四；

图11为本发明实施例中的阵列基板的平面示意图五；

图12为本发明实施例中的阵列基板的平面示意图六；

图13为本发明实施例中的阵列基板的平面示意图七；

图14为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图二；