[发明专利]一种可控反应物均匀分布的双通道喷口结构有效
申请号: | 201410196612.2 | 申请日: | 2014-05-10 |
公开(公告)号: | CN103981512A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 魏武;刘鹏;赵红军;张俊业;童玉珍;张国义 | 申请(专利权)人: | 东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/34 |
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地址: | 523518 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可控 反应物 均匀分布 双通道 喷口 结构 | ||
1.一种可控反应物均匀分布的双通道喷口结构,其特征为:包含第一通道和第二通道;所述第二通道位于第一通道的中心位置,第一通道通入气体为气相沉积反应物气体,如GaCl;所述第二通道通入气体可以是N2也可以是GaCl与N2的混合气体。
2.根据权利要求1所述的双通道喷口结构,其特征为:所述通入的各气体的流量比例可以任意调节。
3.根据权利要求1所述的所述反应物气体,其特征为:所述反应物气体喷出该喷口后可以与其他反应气体(如NH3)相结合生成产物。
4.根据权利要求1所述的双通道喷口结构,其特征为:所述第一通道为等直径或变直径圆柱形通道。
5.根据权利要求1所述的双通道喷口结构,其特征为:所述第二通道可以为一段圆柱形通道,也可由两段组成,上段为圆柱形,下段为圆台形或倒圆台形,两段相连处直径相等。
6.根据权利要求1所述的双通道喷口结构,其特征为:所述双通道喷口结构,既可应用于立式HVPE系统,也可应用于倒立式HVPE系统。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的