[发明专利]一种可控反应物均匀分布的双通道喷口结构有效

专利信息
申请号: 201410196612.2 申请日: 2014-05-10
公开(公告)号: CN103981512A 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 魏武;刘鹏;赵红军;张俊业;童玉珍;张国义 申请(专利权)人: 东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/34
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 523518 *** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 可控 反应物 均匀分布 双通道 喷口 结构
【权利要求书】:

1.一种可控反应物均匀分布的双通道喷口结构,其特征为:包含第一通道和第二通道;所述第二通道位于第一通道的中心位置,第一通道通入气体为气相沉积反应物气体,如GaCl;所述第二通道通入气体可以是N2也可以是GaCl与N2的混合气体。 

2.根据权利要求1所述的双通道喷口结构,其特征为:所述通入的各气体的流量比例可以任意调节。 

3.根据权利要求1所述的所述反应物气体,其特征为:所述反应物气体喷出该喷口后可以与其他反应气体(如NH3)相结合生成产物。 

4.根据权利要求1所述的双通道喷口结构,其特征为:所述第一通道为等直径或变直径圆柱形通道。 

5.根据权利要求1所述的双通道喷口结构,其特征为:所述第二通道可以为一段圆柱形通道,也可由两段组成,上段为圆柱形,下段为圆台形或倒圆台形,两段相连处直径相等。 

6.根据权利要求1所述的双通道喷口结构,其特征为:所述双通道喷口结构,既可应用于立式HVPE系统,也可应用于倒立式HVPE系统。 

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