[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置

说明书

本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述制备方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底包括中心区域和边缘区域，在所述半导体衬底上形成有若干浮栅结构，在相邻的所述浮栅结构之间形成有向下延伸至所述半导体衬底中的浅沟槽隔离结构；回蚀刻去除所述浅沟槽隔离结构中的部分氧化物，以形成凹槽，露出所述浮栅结构的部分侧壁；沉积覆盖层，以填充所述凹槽并覆盖所述浮栅结构；湿法蚀刻去除部分所述覆盖层，以再次露出所述浮栅结构的部分侧壁。本发明所述方法在COPEN工艺步骤之后，进一步沉积覆盖层，然后湿法蚀刻去除部分所述覆盖层，通过在所述边缘区域剩余部分所述覆盖层以补偿所述边缘区域氧化物的厚度，提高了器件的性能和良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体地，本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。

背景技术

随着对于高容量的半导体存储装置需求的日益增加，这些半导体存储装置的集成密度受到人们的更多关注，为了增加半导体存储装置的集成密度，现有技术中采用了许多不同的方法，例如通过减小存储单元尺寸和/或改变结构单元而在单一晶圆上形成更多个存储单元，对于通过改变单元结构增加集成密度的方法来说，已经尝试过通过改变有源区的平面布置或改变单元布局来减小单元面积。

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，由于NAND闪存以页为单位读写数据，所以适合于存储连续的数据，如图片、音频或其他文件数据；同时因其成本低、容量大且写入速度快、擦除时间短的优点在移动通讯装置及便携式多媒体装置的存储领域得到了广泛的应用。目前，为了提高NAND闪存的容量，需要在制备过程中提高NAND闪存的集成密度。

在所述NAND闪存制备过程中，首先形成浮栅结构以及位于所述浮栅结构之间的浅沟槽隔离结构，然后执行存储单元打开(cell open,COPEN)的步骤，所述COPEN步骤是指去除部分所述浅沟槽隔离结构中的氧化物，以露出所述浮栅结构的部分侧壁，以便后续制备的ONO介质层和控制栅极能和所述浮栅结构形成稳定的接触，避免由于器件尺寸减小引起接触不稳定的情况。

在COPEN过程中，在所述晶圆的中心区域和边缘区域中去除的所述氧化物的厚度不一致，引起残留的氧化物的高度不均一，从而引起半导体器件阈值电压的不均一，使器件的性能和良率下降。

因此，需要对目前NAND制备方法作进一步的改进，以便消除上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了解决所述在现有技术中存在的问题，提供了一种半导体器件的制备方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括中心区域和边缘区域，在所述半导体衬底上形成有若干浮栅结构，在相邻的所述浮栅结构之间形成有向下延伸至所述半导体衬底中的浅沟槽隔离结构；

回蚀刻去除所述浅沟槽隔离结构中的部分氧化物，以形成凹槽，露出所述浮栅结构的部分侧壁；

沉积覆盖层，以填充所述凹槽并覆盖所述浮栅结构；

湿法蚀刻去除部分所述覆盖层，以再次露出所述浮栅结构的部分侧壁。

可选地，在回蚀刻去除所述浅沟槽隔离结构中的部分氧化物的步骤中，所述中心区域剩余的氧化物的厚度大于所述边缘区域剩余的氧化物的厚度。

可选地，去除部分所述覆盖层的方法包括：

完全去除位于所述中心区域的所述覆盖层，以露出所述浅沟槽隔离结构中的所述氧化物；

去除部分位于所述边缘区域的所述覆盖层，以使剩余的所述覆盖层的高度与所述中心区域的所述氧化物的高度相同。