[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干个包括浮栅结构和掩膜层的叠层，在相邻的所述叠层之间形成有向下延伸至所述半导体衬底中的浅沟槽隔离结构；

去除所述掩膜层，以露出所述浮栅结构和所述浅沟槽隔离结构中的孔洞；

沉积具有低台阶覆盖能力的牺牲材料层，以完全填充露出的所述孔洞并覆盖所述浮栅结构；

去除部分所述牺牲材料层，以再次露出所述浮栅结构；

去除剩余的所述牺牲材料层和所述浅沟槽隔离结构中的部分氧化物，以露出所述浮栅结构的部分侧壁。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述具有低台阶覆盖能力的所述牺牲材料层包括低压正硅酸乙酯。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选用湿法蚀刻去除部分所述牺牲材料层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选用干法蚀刻去除剩余的所述牺牲材料层和所述浅沟槽隔离结构中的部分氧化物。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在露出所述浮栅结构的部分侧壁之后，所述方法还进一步包括执行湿法清洗的步骤。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述湿法清洗步骤中选用DHF。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜层选用SiN。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述叠层和浅沟槽隔离结构的方法包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成浮栅层和掩膜层；

图案化所述浮栅层、所述掩膜层和所述半导体衬底，以形成若干相互隔离的所述叠层以及位于所述叠层之间的浅沟槽；

在所述浅沟槽中填充隔离材料，以形成所述浅沟槽隔离结构。

9.一种基于权利要求1至8之一所述的方法制备得到的半导体器件。

10.一种电子装置，包括权利要求9所述的半导体器件。