[发明专利]ESD防护器件及其制作方法

权利要求书

1.一种ESD防护器件，包括电容，其特征在于，所述电容包括：

衬底，所述衬底上形成有凹槽；

绝缘介质层，形成在所述凹槽内，并具有容纳槽；

导电部，形成在所述绝缘介质层所形成的容纳槽内。

2.根据权利要求1所述的ESD防护器件，其特征在于，所述绝缘介质层为SiO2层或者SiN层。

3.根据权利要求1所述的ESD防护器件，其特征在于，所述导电部为离子掺杂形成的多晶硅。

4.根据权利要求3所述的ESD防护器件，其特征在于，所述多晶硅中离子的掺杂浓度为10¹⁵至10²⁵atoms/cm³，优选地，多晶硅中离子的掺杂浓度为10²⁰atoms/cm³。

5.根据权利要求3所述的ESD防护器件，其特征在于，所述多晶硅中的掺杂离子为N型离子或者P型离子。

6.根据权利要求1所述的ESD防护器件，其特征在于，所述凹槽通过干法刻蚀或者湿法刻蚀而形成。

7.根据权利要求2所述的ESD防护器件，其特征在于，所述绝缘介质层的周边侧壁厚度相同。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的ESD防护器件，其特征在于，所述凹槽的深度为1至5um。

9.根据权利要求1所述的ESD防护器件，其特征在于，所述ESD防护器件还包括：

源极，形成在所述衬底上；

漏极，形成在所述衬底上；

栅极，形成在所述衬底上，所述栅极与所述电容之间电连接；

所述源极和所述漏极分别位于所述栅极两侧。

10.一种ESD防护器件的制作方法，其特征在于，包括：

步骤S1：在衬底上形成凹槽；

步骤S2：在所述凹槽内形成具有容纳槽的绝缘介质层；

步骤S3：在所述容纳槽内形成导电部。

11.根据权利要求10所述的ESD防护器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S1包括：

步骤S11：在所述衬底上形成光刻胶；

步骤S12：对所述光刻胶进行曝光，并在所述光刻胶上形成工艺窗口；

步骤S13：沿所述工艺窗口对所述衬底进行刻蚀，形成所述凹槽；

步骤S14：去除所述光刻胶。

12.根据权利要求11所述的ESD防护器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S13是通过湿法刻蚀或者干法刻蚀进行实施的。

13.根据权利要求10所述的ESD防护器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

步骤S21：在所述凹槽内填充绝缘介质预备层；

步骤S22：在所述绝缘介质预备层上形成光刻胶；

步骤S23：对所述光刻胶进行曝光，并在所述光刻胶上形成工艺窗口；

步骤S24：沿所述工艺窗口对所述绝缘介质预备层进行刻蚀至所述衬底裸露，形成侧壁绝缘层；

步骤S25：对所述凹槽底部沉积所述底部绝缘层，所述底部绝缘层和侧壁绝缘层形成所述具有容纳槽的绝缘介质层。

14.根据权利要求10所述的ESD防护器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

步骤S21：在所述凹槽的底部和周侧沉积绝缘介质层，并形成所述容纳槽。

15.根据权利要求10所述的ESD防护器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S3内填充的导电部为掺杂离子的多晶硅，所述多晶硅的离子掺杂浓度为10¹⁵至10²⁵atoms/cm³，优选地，多晶硅中离子的掺杂浓度为10²⁰atoms/cm³。

16.根据权利要求10所述的ESD防护器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中的凹槽深度为1至5um。