[发明专利]硅控整流器

说明书

技术领域

本发明有关本发明有关静电放电保护装置，尤指一种用于为高压电路提供静电防护的硅控整流器。 

背景技术

在相关领域中，硅控整流器(silicon controlled rectifier，SCR)常被用来作为静电防护装置(electrostatic discharge protection device，ESD protection device)。由于硅控整流器在运作时会产生正反馈效应，所以保持电压(holding voltage)通常会偏低，使得传统硅控整流器只适合用来作为操作电压在5V以下的集成电路的静电防护装置。 

传统上，可藉由增加硅控整流器的信道长度、或是使用其他额外辅助电路的方式，来提高硅控整流器的保持电压。然而，增加硅控整流器的信道长度必然会导致硅控整流器的尺寸随之变大，而使用其他额外辅助电路则会增加整体电路的设计复杂度和成本。因此，前述的两种方式并不是理想的解决方案。 

发明内容

有鉴于此，如何在不增加硅控整流器的信道长度和使用额外辅助电路的情况下，便能有效提高硅控整流器的保持电压，实为业界有待解决的问题。 

本说明书提供一种硅控整流器的实施例，其包含：一基板；一N井区，设置于该基板的一第一侧；一P井区，设置于该基板的该第一侧，且与该N井区相邻；一第一N型掺杂区，设置于该N井区的一上表面；一第一P型掺杂区，设置于该N井区的该上表面，且与该第一N型掺杂区相邻；一第二N型掺杂区，设置于该P井区的一上表面；一第二P型掺杂区，设置于该P井区的该上表面；一第一氧化隔离区，设置于该N井区的该上表面的局部区域 与该P井区的该上表面的局部区域，并隔离该第一P型掺杂区与该第二N型掺杂区；一第二氧化隔离区，设置于该P井区的该上表面的局部区域，并隔离该第二N型掺杂区与该第二P型掺杂区；一阳极端，耦接于该第一N型掺杂区与该第一P型掺杂区；以及一阴极端，耦接于该第二N型掺杂区与该第二P型掺杂区；其中，该第一P型掺杂区的离子掺杂浓度低于该第二P型掺杂区的离子掺杂浓度的百分之八十。 

上述实施例的优点之一，是无需增加硅控整流器的信道长度和使用额外辅助电路，便能有效提高硅控整流器的保持电压。 

上述实施例的另一优点，是可大幅扩展硅控整流器的应用范围，使得硅控整流器得以被更广泛地运用在各式高压集成电路的静电防护上。 

本发明的其他优点将藉由以下的说明和附图进行更详细的解说。 

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。 

图1为本发明一实施例的硅控整流器简化后的剖面图。 

【符号说明】 

100   硅控整流器 

110   基板 

120   N井区 

122、132   N型掺杂区 

124   第一P型掺杂区 

130   P井区 

134   第二P型掺杂区 

142、144   氧化隔离区 

150   阳极端 

160   阴极端 

具体实施方式

以下将配合相关附图来说明本发明的实施例。在附图中，相同的标号表示相同或类似的元件或方法流程。 

图1为本发明一实施例的硅控整流器100简化后的剖面图。硅控整流器100包含一基板110、一N井区(N well)120、一P井区(P well)130、一第一N型掺杂区(N-type doped region,N region)122、一第一P型掺杂区(P-type doped region,P region)124、一第二N型掺杂区132、一第二P型掺杂区134、一第一氧化隔离区(oxide isolation region)142、一第二氧化隔离区144、一阳极端(anode terminal)150、以及一阴极端(cathode terminal)160。