[发明专利]一种半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201410166999.7 | 申请日： | 2014-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN105097700B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 隋运奇;韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种SRAM半导体器件的制备方法，包括：
提供半导体衬底；
在半导体衬底中形成有隔离结构，将半导体衬底分为第一器件区和第二器件区；
在半导体衬底上依次形成高k介电层、覆盖层、伪栅极层、硬掩膜层；
图形化所述高k介电层、覆盖层、伪栅极层、硬掩膜层，以形成第一虚拟栅极结构和第二虚拟栅极结构；
在所述第一虚拟栅极结构和第二虚拟栅极结构的侧壁上形成偏移侧壁；
执行等离子刻蚀以去除所述第一虚拟栅极结构和所述第二虚拟栅极结构的间隔内残留的覆盖层和高k介电层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述等离子刻蚀后使用DHF进行清洗。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述等离子刻蚀前使用DHF进行清洗，并在所述等离子刻蚀后使用SC-1溶液进行清洗。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子刻蚀采用气体为HBr/O2或Cl2/O2。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高k介电层的材料为氧化铪、氧化铪硅、氮氧化铪硅、氧化镧、氧化锆、氧化锆硅、氧化钛、氧化钽、氧化钡锶钛、氧化钡钛、氧化锶钛、氧化铝之一或其组合。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆盖层的材料包括金属或金属氮化物。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述覆盖层的材料为氮化钛。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述伪栅极层的材料为多晶硅。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为氮化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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