[发明专利]一种多晶硅薄膜的沉积方法在审
| 申请号： | 201410163828.9 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN105097458A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 赵星 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 薄膜 沉积 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅薄膜的沉积方法，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成硅种子层；
在所述硅种子层上沉积大晶粒多晶硅层；
在所述大晶粒多晶硅层上沉积小晶粒多晶硅层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在超高真空条件下，向反应腔内通入硅烷，形成所述硅种子层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述反应腔内压力为E-5torr～E-7torr。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过增加反应气体的流量形成所述大晶粒多晶硅层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述反应气体为硅烷。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述大晶粒多晶硅层的厚度为100～200埃。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过逐渐增大反应腔内的压力，以形成所述小晶粒多晶硅层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，增大后的所述反应腔内的最终压力为2～5托。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
