[发明专利]一种深硅刻蚀方法有效
| 申请号： | 201410221761.X | 申请日： | 2014-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN105097440B | 公开（公告）日： | 2018-02-09 |
| 发明（设计）人： | 王红超;刘身健;严利均 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种深硅刻蚀方法，所述刻蚀方法包括如下步骤非等向性刻蚀步骤，提供第一反应气体在等离子体作用下对硅材料层进行刻蚀，并刻蚀至一定深度，以露出一刻蚀界面，所述刻蚀界面包括侧壁，所述第一反应气体包括刻蚀气体和侧壁保护气体，所述侧壁保护气体用于补偿所述刻蚀气体对该侧壁在横向方向上的刻蚀作用；侧壁保护步骤，提供第二反应气体，在等离子体作用下，在所述刻蚀界面的侧壁形成侧壁保护层，附着在所述刻蚀界面的侧壁表面，所述第二反应气体包括侧壁保护气体；交替循环所述非等向性刻蚀步骤和侧壁保护步骤，直到刻蚀到达目标深度。本发明刻蚀速率快，并且制得的深硅通孔或者沟槽形貌好，深度深，不会产生侧壁呈现波浪形或者锥形的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种深硅刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括如下步骤：非等向性刻蚀步骤，提供第一反应气体在等离子体作用下对硅材料层进行刻蚀，并刻蚀至一定深度，以露出一刻蚀界面，所述刻蚀界面包括侧壁，所述第一反应气体包括刻蚀气体和侧壁保护气体，所述侧壁保护气体用于补偿所述刻蚀气体对该侧壁在横向方向上的刻蚀作用；侧壁保护步骤，提供第二反应气体，在等离子体作用下，在所述刻蚀界面的侧壁形成侧壁保护层，附着在所述刻蚀界面的侧壁表面，所述第二反应气体包括侧壁保护气体；交替循环所述非等向性刻蚀步骤和侧壁保护步骤，直到刻蚀到达目标深度，所述非等向性刻蚀步骤和侧壁保护步骤的执行时间比为大于5:1，所述第一反应气体包括的刻蚀气体为SF6，所述第一反应气体中的刻蚀气体和侧壁保护气体的比例为4:1至2:1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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