[发明专利]一种半导体激光合成器治疗仪

权利要求书

1.一种半导体激光合成器治疗仪，包括：半导体激光器和控制系统，其特征在于，

半导体激光器为半导体激光合成器（11）包括：激光介质晶体（4）、用于泵浦激光介质晶体的半导体激光器（1）、将半导体激光器(1)输出的激光聚焦到激光介质晶体(4)上的光学耦合系统(2)、使激光介质受到半导体激光激发后，产生粒子数反转，从而在谐振腔之间产生基波激光振荡的反射镜（3）和输出镜（5）、将输出镜（5）输出的谐波激光倍频为红光激光的倍频晶体（6）、将未倍频的谐波激光反射回激光谐振腔，并输出产生的用于治疗的红光激光的反馈镜（7），用于将输出的红光激光聚焦到传输光纤（9）的端面，并通过该光纤，传输到治疗部位，进行治疗的聚焦透镜（8）；激光介质晶体（4）、反射镜（3）和输出镜（5）组成激光谐振腔，倍频晶体（6）放置于输出镜（5）和反馈镜（7）之间，聚焦透镜（8）设置于反馈镜之后；

控制系统包括：

电源模块(13)，与半导体激光合成器（11）相连，提供所述半导体激光合成器所需工作电源；

半导体激光合成器稳定工作模块（14），与半导体激光合成器(11)、电源模块（13）和系统控制模块（12）相连，控制整个系统的稳定输出功率；

系统控制模块（12），与电源模块(13)和半导体激光合成器稳定工作模块（14）相连，控制整个系统工作。

2.如权利要求1所述的半导体激光合成器治疗仪，其特征在于:激光介质晶体（4）为掺钕激光介质晶体，选自Nd:YVO4、Nd:GdVO4晶体。

3.如权利要求1所述的半导体激光合成器治疗仪，其特征在于:传输光纤为用于传输红光激光，并将治疗仪输出的红光激光引导到治疗部位，进行治疗的医用光纤（9）。

4.如权利要求1所述的半导体激光合成器治疗仪，其特征在于:倍频晶体选自KTP、LBO、PPKTP或PPLN晶体。

5.如权利要求1所述的半导体激光合成器治疗仪，其特征在于:反射镜的镜面镀有对泵浦的半导体激光束高透，对1300nm～1500nm波长全反射的光学膜。

6.如权利要求1所述的半导体激光合成器治疗仪，其特征在于:输出镜的镜片镀有对1300nm～1500nm波长激光部分反射，对红光激光全反射的光学膜。

7.如权利要求1所述的半导体激光合成器治疗仪，其特征在于:反馈镜的镜片镀有对1300nm～1500nm波长激光全反射，对红光激光增透的光学膜。

8.如权利要求1所述的半导体激光合成器治疗仪，其特征在于:半导体激光合成器可发射强度为650nm–700nm的红光激光。

9.如权利要求1所述的半导体激光合成器治疗仪，其特征在于:电源模块(13)包括：外接电源插座JP1、三端稳压块Q1、内部电池供电系统输入端JP2、构成充电电路的三级管Q3和Q4及用于控制充电的三级管Q9。

10.如权利要求1所述的半导体激光合成器治疗仪，其特征在于:半导体激光合成器稳定工作模块(14)包括：输出激光合成器稳定电源的三级管Q8、提供半导体激光合成器电源输出插座JP5、比较信号放大的比较器芯片U1、控制功率调节作用的三级管Q10、Q11，作为半导体激光合成器电源的三级管Q2，作为信息负反馈，稳定输出功率的三级管Q6。